[发明专利]二极管及其制作方法、阵列基板、显示面板

说明书

本发明公开了一种二极管及其制作方法、阵列基板、显示面板，属于显示技术领域，二极管包括：衬底基板，衬底基板一侧设有缓冲层，缓冲层远离衬底基板一侧设置有第一膜层、第二膜层、第三膜层，第一膜层为多晶硅膜层，第二膜层为非晶硅膜层，第三膜层为多晶硅膜层或非晶硅膜层中的任一种；二极管至少包括第一部、第二部、第三部、第一电极、第二电极，第一部位于第一膜层，第二部位于第二膜层，第三部位于第三膜层；第一电极与第一部电连接，第二电极与第三部电连接。本发明在保证二极管对光的吸收的同时，还可以提高光通量，增加二极管的光敏性，还可以有利于降低光源的使用功耗，简化工艺制程，提高制作效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种二极管及其制作方法、阵列基板、显示面板。

背景技术

随着电子科技技术的不断发展，指纹识别被广泛地应用于手机、个人数字助理、电脑等电子设备的显示屏中。将指纹识别装置嵌入显示区内是显示领域研究的课题之一，嵌入至显示区内可以节省手机或移动装置的正面显示面积，提高用户使用体验。现用户在操作带有指纹识别功能的显示装置前，只需要用手指触摸显示装置就可以进行权限验证，简化了权限验证过程。现有的带有指纹识别功能的显示面板中，均包括多个发光单元和多个指纹传感单元，指纹传感单元可以根据光源发出的光经由触摸主体反射后形成的反射光进行指纹的识别，通过指纹纹谷与纹脊的反射率差异，实现指纹传感单元接收不同指纹信息差异化，形成指纹图像。

现有的光学指纹识别技术一般是采用光电二极管作为感光器件。光电二极管和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但是，在电路中不是用它作整流元件，而是通过它把光信号转换成电信号。普通二极管在反向电压作用在处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管是在反向电压作用在工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大，光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。

但是，现有技术中，基于LTPS(低温多晶硅技术，Low Temperature Poly-silicon)制程制作的光电二极管，一般采用的是横向型的p-i-n(postive-instrict-negative)结构或者直接利用晶体管的漏流对光的敏感性实现光电探测器的功能，由于多晶硅光敏性比非晶硅低一个量级，且横向型的p-i-n结构其感光层无法做到足够的厚度以吸收入射进指纹识别单元的光，因而指纹识别单元光敏性差，需要使用强光源来提高光敏性，但是使用强光源又会导致功耗增加，因而限制了基于LTPS制程的横向型的p-i-n结构的实际可用性。

因此，提供一种不仅具有良好的二极管特性，而且光电流对光照亮度敏感度高，实际可用性强，可以提高指纹识别能力的二极管及其制作方法、阵列基板、显示面板，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种二极管及其制作方法、阵列基板、显示面板，旨在解决现有技术中二极管光敏性差，需要使用强光源来提高光敏性，但是使用强光源又会导致功耗增加，因而限制了二极管的实际可用性的问题。

本发明提供了一种二极管，包括：衬底基板，衬底基板一侧设有缓冲层，缓冲层远离衬底基板一侧设置有第一膜层、第二膜层、第三膜层，第二膜层位于第一膜层远离缓冲层的一侧，第三膜层位于第二膜层远离缓冲层的一侧；第一膜层为多晶硅膜层，第二膜层为非晶硅膜层，第三膜层为多晶硅膜层或非晶硅膜层中的任一种；二极管至少包括第一部、第二部、第三部、第一电极、第二电极，第一部位于第一膜层，第二部位于第二膜层，第三部位于第三膜层；第一电极位于第一部远离缓冲层的一侧，第一电极与第一部电连接，第二电极位于第三部远离缓冲层的一侧，第二电极与第三部电连接。