[发明专利]一种参考电压确定方法、装置及存储介质

说明书

本发明实施例公开了一种参考电压确定方法，其特征在于，所述方法包括：以递增的方式遍历参考电压值集合中的参考电压，获取电子设备的最小参考电压；以递减的方式遍历参考电压值集合中的参考电压，获取所述电子设备的最大参考电压；根据所述电子设备的最小参考电压和所述电子设备的最大参考电压确定所述电子设备的参考电压。采用本发明的方法，通过参考电压递增的方式获取电子设备的最小参考电压，以及参考电压递减的方式获取电子设备的最大参考电压，能够适应不同外界环境带来的影响，避免参考电压边界不稳定的问题，使得参考电压数值更加准确，从而提高电子设备的系统稳定性。

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及一种参考电压确定方法、装置及存储介质。

背景技术

双倍数据速率(Double Data Rate，DDR)是目前主流的内存规范，DDR存储技术中的双向数据参考电压(Data Input/Output Voltage Reference，DQ_VREF)指标，用于判断当前数据的值是1或0。当电压大于DQ_VREF值时判定数据为1，当电压小于DQ_VREF值时则判定数据为0。随着DDR存储技术的发展，运行速率越来越快，为了提高DDR的可靠性，在第四代DDR(DDR4)中引入了DQ_VREF实时训练的概念，以提高DQ_VREF的精确度。

相关技术中，DQ_VREF训练时，从参考电压范围的最小值向最大值遍历，以确定可用的最小参考电压(VREF_Min)和可用的最大参考电压(VREF_Max)；但是，由于DDR涉及模拟信号，在参考电压范围的边界处会受到不同外界环境的影响而不稳定；当在参考电压范围的最小值的边界处出现不稳定的情况时，将导致所获得的可用的VREF_Max异常；如与所获得的可用的VREF_Min数值相接近，从而导致最终获得的DQ_VREF数值出现异常。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种参考电压确定方法、装置及存储介质，能够适应不同外界环境带来的影响，避免参考电压边界不稳定的问题，使得参考电压数值更加准确。

本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种参考电压确定方法，所述方法包括：

以递增的方式遍历参考电压值集合中的参考电压，获取电子设备的最小参考电压；

以递减的方式遍历参考电压值集合中的参考电压，获取所述电子设备的最大参考电压；

根据所述电子设备的最小参考电压和所述电子设备的最大参考电压确定所述电子设备的参考电压。

在上述方案中，所述以递增的方式遍历参考电压值集合中的参考电压，获取所述电子设备的最小参考电压，包括：

遍历所述参考电压值集合中的参考电压，对所述电子设备进行读写校验；

将读写校验成功的第一个参考电压确定为所述电子设备的最小参考电压；

其中，所述参考电压值集合按参考电压值大小的升序进行排列。

在上述方案中，所述以递增的方式遍历参考电压值集合中的参考电压，获取所述电子设备的最小参考电压，包括：

基于所述参考电压值集合中的第一个参考电压，对所述电子设备进行读写校验；

读写校验成功时，确定第一个参考电压为所述电子设备的最小参考电压；

读写校验失败时，基于所述参考电压值集合中的第二个参考电压，对所述电子设备进行读写校验，直至读写校验成功；将读写校验成功对应的参考电压确定为所述电子设备的最小参考电压。

在上述方案中，所述以递减的方式遍历参考电压值集合中的参考电压，获取所述电子设备的最大参考电压，包括：