[发明专利]一种双键聚合物量子点膜及其制备方法

权利要求书

1.一种双键聚合物量子点膜，其特征是：该双键聚合物量子点膜是由A层材料和B层材料经三层共挤流涎或双向拉伸后制得的A层厚度为10～200μm、B层厚度为18～300μm的ABA三层薄膜结构的量子点一级基膜，再在量子点一级基膜双表面上进行氟化技术处理后制得ABA三层薄膜结构的量子点二级基膜，再在量子点二级基膜双表面上涂布热固性树脂并形成烘干厚度为1～10μm涂层而制备得到的双键聚合物量子点膜；

所述A层材料为0.1～5质量份的微米级光扩散剂、0～95质量份的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物和0～95质量份的聚烯烃树脂组成的混合物，其中偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物和聚烯烃树脂的用量不同时为零且总用量为95质量份；

所述B层材料为0.02～2质量份的量子点、0.1～10质量份的微米级光扩散剂和80～99质量份的聚烯烃树脂混合组成；

所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的混合物；

所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物；

所述聚烯烃树脂是双环庚烯、降冰片烯、二聚环二戊烯、苯乙烯、丁二烯、丙烯以及乙烯中的一种或两种以上聚合而形成的聚烯烃树脂中的一种或两种以上的混合物；

所述双键聚合物量子点膜的厚度为40μm～450μm，水蒸气透过率为0.01～0.1g/m²·24h，在85℃温度、85%湿度或60℃温度、90%湿度两种条件下处理1000h后，边缘失效都为0～0.2mm。

2.按权利要求1所述的双键聚合物量子点膜，其特征是：所述纳米级半导体化合物包括IV族、 II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物；所述金属纳米粒子包括Cr、Mo、W、Ru、Rh、Ni、Ag、Cu、Zn、Pd、Au、Os、Re、Ir、Pt的纳米粒子；所述金属氧化物纳米粒子包括TiO₂、NiO、ZnO、MgO。

3.按权利要求1所述的双键聚合物量子点膜，其特征是：所述热固性树脂为采用蒙脱土改性的聚乙烯醇、聚氨酯、环氧树脂中的一种或多种。