[发明专利]一种氮化铝单晶晶须的制备方法在审
申请号: | 201811615921.3 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109505010A | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 陈贵锋;崔起源;张辉;解新建;谢路肖 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | C30B25/02 | 分类号: | C30B25/02;C30B29/38;C30B29/62 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 万尾甜;韩介梅 |
地址: | 300401 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶晶须 氮化铝 制备 生长区 衬底 生长 氢化物气相外延 氮气 白色沉积物 氮化铝晶须 氩气 衬底表面 抽真空 反应室 高纯铝 控制源 无危险 氮源 放入 刚玉 源区 载气 取出 | ||
1.一种氮化铝单晶晶须的制备方法,其特征在于,步骤如下:
1)备料:称量高纯铝颗粒放入刚玉舟中备用;利用丙酮和异丙醇清洗衬底表面;
2)装料:氢化物气相外延设备反应室中刚玉管的一端作为进气口,将步骤1)装有铝颗粒的刚玉舟从另一端推入刚玉管中,直至源区位置,再将衬底放入刚玉管内距离刚玉管端口5~10cm处;
3)生长:先将反应室内抽真空至真空度为30Pa以下,之后通入氮气,将源区温度升温至1400℃,衬底所处的生长区温度升温至1550℃,温度到达设定值后,通入氩气,调节氮气及氩气流量,使压力控制为10kPa,保温40~90min;
4)降温:循环冷却水冷却至室温,取出样品,在衬底上生长有白色沉积物即为氮化铝单晶晶须。
2.根据权利要求1所述的氮化铝单晶晶须的制备方法,其特征在于,步骤3)中抽真空后通入氮气,所述的氮气流量为0.1L/min。
3.根据权利要求1所述的氮化铝单晶晶须的制备方法,其特征在于,所述的衬底为蓝宝石。
4.根据权利要求1所述的氮化铝单晶晶须的制备方法,其特征在于,所述的高纯铝颗粒的纯度不低于99.999%。
5.根据权利要求1所述的氮化铝单晶晶须的制备方法,其特征在于,步骤3)中调节氮气及氩气流量,使氮气路流量为1.1-4L/min,氩气路流量为500-600mL/min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811615921.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。