[发明专利]一种日用陶瓷及其制备工艺

权利要求书

1.一种日用陶瓷的制备工艺，其特征在于，包括步骤：

（1）将白云石、尖晶石、莫来石、叶蜡石和锂云母分别粉碎并以质量比1：0.6～0.8：0.3～0.4：0.2～0.3：0.1～0.2混合，得混合粉；

（2）混合粉煅烧，研磨，过筛，得煅烧粉；

（3）煅烧粉和蛭石粉、加气铝粉混合后，以无水乙醇为分散介质，超声分散，球磨，烘干，得原料；

（4）将原料放入模具中挤压成型，烧结后20～30分钟内迅速降温至室温，得粗制陶瓷；

（5）在粗制陶瓷的暴露面沉积氮化钛-氮化锆复合膜，沉积厚度为20～30μm；

（6）以25～30℃/分钟的升温速率升温至1300～1400℃，保温30～40分钟，然后以2～3℃/分钟的降温速率降温至1000～1200℃，接着以18～22℃/分钟的降温速率降温至室温，即得。

2.根据权利要求1所述的一种日用陶瓷的制备工艺，其特征在于，步骤（1）中，粉碎至直径小于10mm。

3.根据权利要求1所述的一种日用陶瓷的制备工艺，其特征在于，优选的，步骤（2）中，煅烧条件为：500～600℃煅烧12～15小时。

4.根据权利要求1所述的一种日用陶瓷的制备工艺，其特征在于，步骤（2）中，研磨后过80～100目筛。

5.根据权利要求1所述的一种日用陶瓷的制备工艺，其特征在于，步骤（3）中，煅烧粉、蛭石粉、加气铝粉和无水乙醇的质量体积比约为1g：0.5～0.6g：0.1～0.2g：30～40mL。

6.根据权利要求1所述的一种日用陶瓷的制备工艺，其特征在于，步骤（3）中，超声分散时间为30～40分钟，球磨时间为2～3小时，60～70℃烘干3～4小时。

7.根据权利要求1所述的一种日用陶瓷的制备工艺，其特征在于，步骤（4）中，烧结的工艺条件为：1300～1400℃烧结5～6小时。

8.根据权利要求1所述的一种日用陶瓷的制备工艺，其特征在于，步骤（5）中，采用磁控溅射技术在粗制陶瓷的暴露面沉积氮化铝和氮化锆。

9.根据权利要求8所述的一种日用陶瓷的制备工艺，其特征在于，磁控溅射技术的工艺条件为：多离子源镀膜机，磁控溅射靶直径10cm，脉冲频率40kHz的单级中频脉冲电源，脉冲电压最大值1000V，单级中频脉冲电源的一端接真空室，另一端接质量比1:1的钛锆合金溅射靶，圆形真空室连接分子泵，极限真空为3×10^-3Pa，钛锆合金溅射靶纯度为99.99%，放电气体为Ar和N₂的混合气体，两者的纯度都在99.99%以上，充入反应气体后，真空室的压力保持在0.4Pa，粗制陶瓷的暴露面正对溅射靶且两者的距离为20cm，功率为800W，沉积时间为2～3小时，N₂的流量比率为2.5%。

10.利用权利要求1～9中任一项所述制备工艺得到的一种日用陶瓷。