[发明专利]控制晶面暴露取向的单晶铜箔的制备方法

权利要求书

1.一种控制晶面暴露取向的单晶铜箔的制备方法，包括：

1)以含有应力的多晶铜箔为原料，探查所述原料表面的晶面暴露情况；

2)根据步骤1)探查所得原料表面的晶面暴露情况，选择含氧气氛或还原性气氛：

当目标产物为暴露面为{100}晶面的单晶铜箔时，选择含氧气氛及表面暴露面为{100}晶面的所述原料；

当目标产物为暴露面为{111}晶面的单晶铜箔时，选择还原性气氛及表面暴露面为{111}晶面的所述原料；

3)将步骤1)所述原料置于步骤2)所述含氧气氛或还原性气氛中进行预处理；

4)在步骤3)所用气氛及移动温区中进行退火，所述移动温区由原料的最左端移动至最右端，得到暴露面为目标晶面的单晶铜箔；

所述移动温区由最左端至最右端温度逐渐降低，且移动温区的最高温度大于600℃；最低温度为室温；每次在移动温区中进行退火时，移动温区的温度梯度始终不低于50℃/cm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1)中，所述多晶铜箔的纯度大于99％；

探查所述原料表面的晶面暴露情况的方法为X射线衍射。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步骤2)中，所述含氧气氛为氧气含量不低于20ppm的氩气气氛；具体为氧气的体积百分含量为0.1％的氩气气氛；

所述还原性气氛为纯氮气/纯氩气/纯氢气或三种气体的任意比例混合气，其水氧含量均低于1000ppm。

4.根据权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于：所述步骤3)预处理中，置于含氧气氛中时，加温或不加温；所述加温步骤中，温度为200-1000℃；时间为5min-100h；具体为30min。

5.根据权利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：所述步骤3)预处理中，置于还原性气氛中时，温度低于1000℃；具体为200-999℃；更具体为600℃；时间为5min-100h；具体为2h。

6.根据权利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于：所述步骤4)中，所用衬底不粘黏铜箔；具体为石墨纸/钼箔或表面放置石墨纸/钼箔的高热阻基底；所述高热阻基底具体为石英、多孔陶瓷或泡沫氧化铝。

7.根据权利要求1-6中任一所述的方法，其特征在于：所述步骤4)中，所述移动温区的最高温度为600-2000℃，且不为600℃；具体为1020℃；

所述移动温区的移动速率为1cm/min-100cm/min；具体为5cm/min；

所述移动温区的温度梯度为50℃/cm-1000℃/cm。

8.根据权利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于：所述步骤4)中，退火压强为0.1-200000Pa；具体为600Pa。

9.权利要求1-8任一所述方法制备得到的单晶铜箔。