[发明专利]高压半导体装置

权利要求书

1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体衬底，具有一第一导电型；

一第一阱，设置于该半导体衬底上，其中该第一阱具有该第一导电型；

一第二阱，与该第一阱相邻，其中该第二阱具有与该第一导电型相反的一第二导电型；

一第一源极区和一第一漏极区，分别设置于该第一阱和该第二阱中，其中该第一源极区和该第一漏极区具有该第二导电型，且对该第一漏极区施加一第一电压；

一第一栅极结构，设置于该第一阱和该第二阱上；

一第三阱，设置于该半导体衬底上，且与该第一阱相邻，其中该第三阱具有该第二导电型；

一第二源极区和一第二漏极区，分别设置于该第一阱和该第三阱中，其中该第二源极区和该第二漏极区具有该第二导电型，且对该第二漏极区施加一第二电压，该第二电压不同于该第一电压；

一第二栅极结构，设置于该第一阱和该第三阱上；以及

一埋置层，设置于该半导体衬底中且具有该第一导电型，其中该埋置层与该第一阱、该第二阱和该第三阱重叠，且该埋置层位于该第一源极区下方，其中该埋置层的边界超出该第二阱的边界，且该第二阱的该边界远离该第一阱。

2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，更包括:

一第一隔离结构，设置于该第二阱上，其中该第一栅极结构延伸至该第一隔离结构上；

一第二隔离结构，设置于该第三阱上，其中该第二栅极结构延伸至该第二隔离结构上；以及

一第一漂移区，围绕该第一漏极区且具有该第二导电型。

3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，更包括:

一第二漂移区，围绕该第二漏极区且具有该第二导电型。

4.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，更包括:

一重掺杂区，与该第一源极区相邻并具有该第一导电型；以及

一基体区，围绕该第一源极区和该重掺杂区，并具有该第一导电型。

5.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，更包括:

一重掺杂区，设置于该第一源极区与该第二源极区之间，并具有该第一导电型；以及

一基体区，围绕该第一源极区、该第二源极区和该重掺杂区，并具有该第一导电型。

6.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该埋置层包括多个区段，所述多个区段彼此隔开。

7.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该埋置层的厚度沿着该第一阱往该第二阱的一第一方向减少，且该埋置层的厚度沿着该第一阱往该第三阱的一第二方向减少。

8.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体衬底，具有一第一导电型；

一第一阱，设置于该半导体衬底上，其中该第一阱具有该第一导电型；

一第二阱和一第三阱，设置于该半导体衬底上，且位于该第一阱的两侧，其中该第二阱和该第三阱具有与该第一导电型相反的一第二导电型；

一第一源极区和一第一漏极区，分别设置于该第一阱和该第二阱中，其中该第一源极区和该第一漏极区具有该第二导电型；

一第二源极区和一第二漏极区，分别设置于该第一阱和该第三阱中，其中该第二源极区和该第二漏极区具有该第二导电型；

一第一栅极结构，设置于该第一阱和该第二阱上；

一第二栅极结构，设置于该第一阱和该第三阱上；以及

一埋置层，设置于该半导体衬底中，且与该第一源极区和该第二源极区垂直重叠，其中该埋置层具有该第一导电型，其中在该第一漏极区和该第二漏极区施加不同的电压。

9.如权利要求8所述的高压半导体装置，其特征在于，该埋置层的水平宽度大于该第一阱的水平宽度。

10.如权利要求8所述的高压半导体装置，其特征在于，该埋置层与该第一阱、该第二阱和该第三阱重叠。