[发明专利]高压半导体装置

说明书

本发明提供了一种高压半导体装置，包含半导体衬底具有第一导电型，第一阱设置于半导体衬底上，第一阱具有第一导电型，第二阱和第三阱与第一阱相邻，且具有与第一导电型相反的第二导电型，具有第二导电型的第一源极区和第一漏极区分别设置于第一阱和第二阱中，第一栅极结构设置于第一阱和第二阱上，具有第二导电型的第二源极区和第二漏极区分别设置于第一阱和第三阱中，第二栅极结构设置于第一阱和第三阱上，以及埋置层设置于半导体衬底中且具有第一导电型，埋置层与第一阱、第二阱和第三阱重叠且位于第一源极区下方。

技术领域

本发明是有关于半导体装置，特别为有关于高压半导体装置。

背景技术

高压半导体装置技术适用于高电压与高功率的集成电路领域。传统高压半导体装置，例如垂直式扩散金属氧化物半导体(vertically diffused metal oxidesemiconductor,VDMOS)晶体管及水平扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metaloxide semiconductor,LDMOS)晶体管，主要用于12V以上的元件应用领域。高压装置技术的优点在于符合成本效益，且易相容于其它工艺，已广泛应用于显示器驱动IC元件、电源供应器、电力管理、通信、车用电子或工业控制等领域中。

虽然现存的高压半导体装置已逐步满足它们既定的用途，但它们仍未在各方面皆彻底的符合要求。因此，关于高压半导体装置和制造技术仍有一些问题需要克服。

发明内容

根据一些实施例，提供高压半导体装置。高压半导体装置包含半导体衬底，具有第一导电型；第一阱，设置于半导体衬底上，其中第一阱具有第一导电型；第二阱，与第一阱相邻，其中第二阱具有与第一导电型相反的第二导电型；第一源极区和第一漏极区，分别设置于第一阱和第二阱中，其中第一源极区和第一漏极区具有第二导电型，且对第一漏极区施加一第一电压；第一栅极结构，设置于第一阱和第二阱上；第三阱，设置于半导体衬底上，且与第一阱相邻，其中第三阱具有第二导电型；第二源极区和第二漏极区，分别设置于第一阱和第三阱中，其中第二源极区和第二漏极区具有第二导电型，且对第二漏极区施加一第二电压，第二电压不同于第一电压；第二栅极结构，设置于第一阱和第三阱上；以及埋置层，设置于半导体衬底中且具有第一导电型，其中埋置层与第一阱、第二阱和第三阱重叠，且埋置层位于第一源极区下方。

根据一些实施例，提供高压半导体装置。高压半导体装置包含半导体衬底，具有第一导电型；第一阱，设置于半导体衬底上，其中第一阱具有第一导电型；第二阱和第三阱，设置于半导体衬底上，且位于第一阱的两侧，其中第二阱和第三阱具有与第一导电型相反的第二导电型；第一源极区和第一漏极区，分别设置于第一阱和第二阱中，其中第一源极区和第一漏极区具有第二导电型；第二源极区和第二漏极区，分别设置于第一阱和第三阱中，其中第二源极区和第二漏极区具有第二导电型；第一栅极结构，设置于第一阱和第二阱上；第二栅极结构，设置于第一阱和第三阱上；以及埋置层，设置于半导体衬底中，且与第一源极区和第二源极区垂直重叠，其中埋置层具有第一导电型。

附图说明

图1显示依据本发明的一些实施例的高压半导体装置的剖面示意图。

图2显示依据本发明的一些实施例的高压半导体装置的上视图。

图3显示依据本发明的一些实施例的高压半导体装置的剖面示意图。

图4显示依据本发明的一些实施例的高压半导体装置的剖面示意图。

图5-图6显示依据本发明的一些实施例的高压半导体装置的掺杂轮廓示意图。

附图标号：

100、200、300 高压半导体装置；

101 半导体衬底；

102 第一阱；

103 第二阱；

104 第一源极区；