[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，包括沿第一方向延伸的有源图案；

多个栅电极，交叉所述有源图案并且沿第二方向延伸，所述多个栅电极在所述第一方向上彼此间隔开；

栅极分隔图案，具有在所述第一方向上的长轴并且在所述多个栅电极中的两个栅电极之间，所述多个栅电极中的所述两个栅电极在所述第二方向上彼此相邻；以及

多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，所述栅极间隔物交叉所述栅极分隔图案并且沿所述第二方向延伸，

其中所述栅极分隔图案包括：

下部，沿所述第一方向延伸；

中间部分，从所述下部突出并且具有第一宽度，以及

上部，在两个相邻的栅极间隔物之间并且从所述中间部分突出，所述上部具有小于所述第一宽度的第二宽度。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个栅电极的每个具有与所述第二宽度基本相同的宽度。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个栅极间隔物的每个包括低k电介质材料，所述低k电介质材料具有比所述栅极分隔图案的介电常数小的介电常数。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个栅极间隔物包括：

第一间隔物部分，沿所述第二方向延伸并且覆盖所述栅电极的所述侧壁和所述栅极分隔图案的所述上部的侧壁；以及

第二间隔物部分，沿所述第一方向延伸并且覆盖所述栅极分隔图案的所述下部的侧壁。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述第一间隔物部分的高度大于所述第二间隔物部分的高度。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述栅极分隔图案的所述上部的顶表面在与所述栅电极的顶表面的水平基本相同的水平处。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述栅极分隔图案的底表面在比所述栅电极的底表面的水平低的水平处。

8.根据权利要求1所述的器件，还包括：

多个残余虚设栅极图案，局部地位于所述栅电极的对应的下部拐角上，

其中所述残余虚设栅极图案包括与所述栅电极的材料不同的材料。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个栅电极的每个包括：

金属图案；以及

阻挡金属图案，在所述金属图案与所述有源图案之间并且在所述金属图案与所述栅极间隔物之间延伸。

10.根据权利要求1所述的器件，还包括：

多个外延层，在所述多个栅电极的相邻栅电极之间的所述有源图案上，

其中所述栅极分隔图案的一部分在所述外延层之间，所述多个外延层在所述第二方向上彼此间隔开。

11.根据权利要求10所述的器件，还包括：

连接所述多个外延层的接触图案，

其中所述接触图案的一部分跨越所述栅极分隔图案的所述下部。

12.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，包括沿第一方向延伸的有源图案；

多个栅电极，交叉所述有源图案并且沿第二方向延伸，所述多个栅电极在所述第一方向上彼此间隔开；

栅极分隔图案，在所述多个栅电极中的至少两个栅电极之间，所述至少两个栅电极在所述第二方向上彼此相邻，所述栅极分隔图案具有在所述第一方向上的长轴；以及

多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，所述栅极间隔物交叉所述栅极分隔图案并且沿所述第二方向延伸，

其中所述栅极分隔图案包括：

上部，在所述多个栅极间隔物中的两个相邻的栅极间隔物之间，以及

下部，在所述栅极间隔物之下沿所述第一方向延伸，

其中所述多个栅极间隔物的每个包括低k电介质材料，所述低k电介质材料具有比所述栅极分隔图案的介电常数小的介电常数。