[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：多个栅电极，在衬底上交叉有源图案并沿第二方向延伸，所述多个栅电极在第一方向上彼此间隔开；栅极分隔图案，具有在第一方向上的长轴并且在所述多个栅电极中的两个栅电极之间，所述多个栅电极中的所述两个栅电极在第二方向上彼此相邻；以及多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，栅极间隔物交叉栅极分隔图案并沿第二方向延伸。栅极分隔图案包括沿第一方向延伸的下部、从下部突出并具有第一宽度的中间部分、以及在两个相邻的栅极间隔物之间并从中间部分突出的上部，上部具有小于第一宽度的第二宽度。

技术领域

发明构思涉及半导体器件，更具体地，涉及包括场效应晶体管的半导体器件。

背景技术

半导体器件包括由金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)构成的集成电路。随着半导体器件变得高度集成，MOSFET的按比例缩小也在加速，因而半导体器件的工作特性可能劣化。因此，已经开发了各种研究来制造这样的半导体器件，其具有优异的性能同时克服了由半导体器件的高集成度所致的限制。

发明内容

发明构思的一些示例实施方式提供了包括高度集成的场效应晶体管的半导体器件。

发明构思不限于上述内容，并且以上未提及的其它目的将由以下描述清楚。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种半导体器件可以包括：半导体衬底，包括沿第一方向延伸的有源图案；多个栅电极，交叉有源图案并沿第二方向延伸，所述多个栅电极在第一方向上彼此间隔开；栅极分隔图案，具有在第一方向上的长轴并且在所述多个栅电极中的两个栅电极之间，所述多个栅电极中的所述两个栅电极在第二方向上彼此相邻；以及多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，栅极间隔物交叉栅极分隔图案并沿第二方向延伸。栅极分隔图案包括沿第一方向延伸的下部、从下部突出并具有第一宽度的中间部分、以及在两个相邻的栅极间隔物之间并从中间部分突出的上部，上部具有小于第一宽度的第二宽度。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种半导体器件可以包括：半导体衬底，包括沿第一方向延伸的有源图案；多个栅电极，交叉有源图案并沿第二方向延伸，所述多个栅电极在第一方向上彼此间隔开；栅极分隔图案，在所述多个栅电极中的至少两个栅电极之间，所述至少两个栅电极在第二方向上彼此相邻，栅极分隔图案具有在第一方向上的长轴；以及多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，栅极间隔物交叉栅极分隔图案并沿第二方向延伸。栅极分隔图案包括在所述多个栅极间隔物中的两个相邻的栅极间隔物之间的上部、以及在栅极间隔物之下沿第一方向延伸的下部。每个栅极间隔物包括低k电介质材料，该低k电介质材料具有比栅极分隔图案的介电常数小的介电常数。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种半导体器件可以包括：半导体衬底，包括第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案沿第一方向延伸；多个第一栅电极，交叉第一有源图案并沿第二方向延伸；多个第二栅电极，交叉第二有源图案并沿第二方向延伸，第二栅电极在第二方向上与第一栅电极间隔开；栅极分隔图案，在所述多个第一栅电极中的一个与所述多个第二栅电极中的一个之间，所述多个第一栅电极中的所述一个和所述多个第二栅电极中的所述一个在第二方向上彼此相邻；多个栅极间隔物，沿第二方向从所述多个第一栅电极和所述多个第二栅电极中的相应栅电极的侧壁延伸；多个第一外延层，在第一有源图案上并且在第一栅电极之间；以及多个第二外延层，在第二有源图案上并且在第二栅电极之间。栅极分隔图案包括：多个第一部分，每个第一部分在所述多个第一栅电极中的所述一个与所述多个第二栅电极中的所述一个之间具有第一高度；以及多个第二部分，在第一方向上连接到所述多个第一部分并在第二方向上位于所述多个第一外延层中的一个与所述多个第二外延层中的一个之间，其中每个第二部分具有小于第一高度的第二高度。

其它示例实施方式的细节被包括在说明书和附图中。

附图说明

图1示出显示了根据发明构思的一些示例实施方式的半导体器件的简化俯视图。