[发明专利]GaN HEMT漏极控制电路及设备有效
| 申请号： | 201811619641.X | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109768789B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 谢路平;樊奇彦;刘江涛;李合理 | 申请（专利权）人： | 京信网络系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 关志琨 |
| 地址： | 510663 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan hemt 控制电路 设备 | ||
1.一种GaN HEMT漏极控制电路，其特征在于，包括：漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管；
所述漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源，所述漏压开关驱动电路的第二输入端用于接入漏压控制信号；所述漏压开关驱动电路的第一输出端连接所述第一N型MOS管的栅极，所述漏压开关驱动电路的第二输出端连接所述第一N型MOS管的漏极，所述漏压开关驱动电路的第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极；
所述第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极；
其中，所述漏压开关驱动电路用于接收所述漏压控制信号，基于所述漏压控制信号以及所述第一输出端和所述第三输出端，向所述第一N型MOS管的栅极发送对应的驱动信号，以控制所述第一N型MOS管的导通或截断。
2.根据权利要求1所述的GaN HEMT漏极控制电路，其特征在于，所述漏压开关驱动电路为N型MOS管驱动电路。
3.根据权利要求2所述的GaN HEMT漏极控制电路，其特征在于，所述N型MOS管驱动电路包括MOSFET驱动器以及采样电阻；
所述MOSFET驱动器的SNS端通过所述采样电阻连接所述第一N型MOS管的漏极。
4.根据权利要求3所述的GaN HEMT漏极控制电路，其特征在于，所述N型MOS管驱动电路还包括第一电阻；
所述MOSFET驱动器的INP端用于接入所述漏压控制信号，所述MOSFET驱动器的Vin端用于连接外部电源；
所述MOSFET驱动器的TGUP端通过所述第一电阻连接所述第一N型MOS管的栅极，所述MOSFET驱动器的TGDN端连接所述第一N型MOS管的栅极；所述MOSFET驱动器的TS端连接所述第一N型MOS管的源极。
5.根据权利要求1所述的GaN HEMT漏极控制电路，其特征在于，还包括接地开关电路；
所述接地开关电路的输入端连接所述第一N型MOS管的源极，所述接地开关电路的输出端接地，所述接地开关电路的控制端用于接入所述漏压控制信号。
6.根据权利要求5所述的GaN HEMT漏极控制电路，其特征在于，所述接地开关电路包括第二N型MOS管；
所述第二N型MOS管的漏极连接所述第一N型MOS管的源极，所述第二N型MOS管的源极接地，所述第二N型MOS管的栅极用于接入所述漏压控制信号。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的GaN HEMT漏极控制电路，其特征在于，还包括漏压控制电路；
所述漏压控制电路的输入端用于连接栅极电压源，所述漏压控制电路的输出端连接所述漏压开关驱动电路的第二输入端。
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