[发明专利]GaN HEMT漏极控制电路及设备

说明书

本申请涉及一种GaN HEMT漏极控制电路及设备。GaN HEMT漏极控制电路，包括：漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管。漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源，第二输入端用于接入漏压控制信号，第一输出端连接第一N型MOS管的栅极，第二输出端连接第一N型MOS管的漏极，第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极；第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极。基于上述结构，漏压开关驱动电路接收漏压控制信号，输出驱动信号给第一N型MOS管的栅极，控制第一N型MOS管漏源两极的通断；利用第一N型MOS管来控制GaN HEMT漏压的开与关，能够实现漏压开关的高速切换，同时，可降低漏极电源开关的损耗以及电路成本，提高电路的可靠性和效率。

技术领域

本申请涉及半导体控制电路技术领域，特别是涉及一种GaN HEMT漏极控制电路及设备。

背景技术

氮化镓(GaN)半导体材料具有禁带宽度宽、电子漂移速度高、击穿场强高、化学性质稳定等优点，是制备高频、大功率器件的理想材料。以GaN为衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT，High Electron Mobility Transistor)具有输出功率密度大、工作电压高和输出阻抗高的优点，在无线通信中发挥着越来越重要的作用，是无线通信放大器的核心器件。

在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：GaN HEMT漏极控制电路的漏压开关损耗大，电路可靠性低。

发明内容

基于此，有必要针对GaN HEMT漏极控制电路的漏压开关损耗大，电路可靠性低的问题，提供一种GaN HEMT漏极控制电路及设备。

为了实现上述目的，一方面，本申请实施例提供了一种GaN HEMT漏极控制电路，包括：漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。

漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源，漏压开关驱动电路的第二输入端用于接入漏压控制信号；漏压开关驱动电路的第一输出端连接第一N型MOS管的栅极，漏压开关驱动电路的第二输出端连接第一N型MOS管的漏极，漏压开关驱动电路的第三输出端连接第一N型MOS管的源极；第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极。

在其中一个实施例中，漏压开关驱动电路为N型MOS管驱动电路。

在其中一个实施例中，N型MOS管驱动电路包括MOSFET驱动器以及采样电阻；MOSFET驱动器的SNS端通过采样电阻连接第一N型MOS管的漏极。

在其中一个实施例中，N型MOS管驱动电路还包括第一电阻。MOSFET驱动器的INP端用于接入漏压控制信号，MOSFET驱动器的Vin端用于连接外部电源。

MOSFET驱动器的TGUP端通过第一电阻连接第一N型MOS管的栅极，MOSFET驱动器的TGDN端连接第一N型MOS管的栅极；MOSFET驱动器的TS端连接第一N型MOS管的源极。

在其中一个实施例中，还包括接地开关电路；接地开关电路的输入端连接第一N型MOS管的源极，接地开关电路的输出端接地，接地开关电路的控制端用于接入漏压控制信号。

在其中一个实施例中，接地开关电路包括第二N型MOS管；第二N型MOS管的漏极连接第一N型MOS管的源极，第二N型MOS管的源极接地，第二N型MOS管的栅极用于接入漏压控制信号。

在其中一个实施例中，还包括漏压控制电路。漏压控制电路的输入端用于连接栅极电压源，漏压控制电路的输出端连接漏压开关驱动电路的第二输入端。