[发明专利]一种基于无线充电的肖特基二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于无线充电的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：

选取SiO₂衬底；

在所述SiO₂衬底表面形成第一Ge层；

采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶；

在所述再结晶后的第一Ge层的表面形成第二Ge层；

对所述第二Ge层进行离子注入，形成第一N型Ge层；

在所述第一N型Ge层上形成第一电极和第二电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述再结晶后的第一Ge层的表面形成第二Ge层的步骤，包括：

采用磁控溅射的方法，在400℃～500℃下，将Ge靶材料溅射淀积在所述再结晶后的第一Ge层的表面，形成所述第二Ge层，其中，工艺压力为1.5×10^-3mb，淀积速率为5nm/min，淀积厚度为600～700nm；

所述对所述第二Ge层进行离子注入，形成第一N型Ge层的步骤，包括：

在400℃～500℃下，在所述第二Ge层中注入P离子，形成所述第一N型Ge层，其中，注入时长为200s，注入计量为1.8×10¹⁴cm^-3～2.0×10¹⁴cm^-3，能量为30kev。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一N型Ge层上形成第一电极和第二电极的步骤，包括：

在所述第一N型Ge层的表面上，预设的第一指定区域内注入P离子，以在所述预设的第一指定区域内形成第二N型Ge层；

在所述第二N型Ge层的表面形成所述第一电极，以及在所述第一N型Ge层的表面形成所述第二电极。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一N型Ge层的表面上，预设的第一指定区域内的注入P离子，以在所述预设的第一指定区域内形成第二N型Ge层的步骤，包括：

在所述第一N型Ge层的表面上，形成第一光刻胶；

去除所述第一N型Ge层的表面上的预设的第一指定区域内的第一光刻胶；

利用离子注入方法，在去除第一光刻胶后的预设的第一指定区域内注入P离子，以在预设的第一指定区域内形成所述第二N型Ge层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第二N型Ge层的表面形成所述第一电极的步骤，包括：

在所述第二N型Ge层的表面，利用电子束蒸发淀积铝金属层，形成欧姆接触；

保留所述预设的第一指定区域内的所述铝Al金属层，刻蚀剩余所述Al金属层以形成所述第一电极。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一N型Ge层的表面形成第二电极的步骤，包括：

在所述第一电极的表面，以及所述第一N型Ge层的表面上除所述第一电极以外的部分形成第二光刻胶；

去除所述第一N型Ge层的表面上的预设的第二指定区域内的第二光刻胶；

在剩余的第二光刻胶的表面和所述预设的第二指定区域上淀积钨W金属层，所述剩余的第二光刻胶包括：所述第一电极的表面，以及所述第一N型Ge层的表面上除所述第一电极和所述预设的第二指定区域以外的部分上形成的第二光刻胶；

去除所述剩余的第二光刻胶以及淀积在所述剩余的第二光刻胶上的W金属层；

保留所述第一N型Ge层的表面上的所述预设的第二指定区域上的所述W金属层作为所述第二电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶的步骤之前，所述方法还包括：

使用化学气相淀积CVD方法，在所述第一Ge层的表面淀积100nm～150nm的SiO₂保护层。