[发明专利]一种基于无线充电的肖特基二极管及其制备方法

说明书

本发明涉及一种基于无线充电的肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括：选取SiO₂衬底；在所述SiO₂衬底表面形成第一Ge层；采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶；在所述再结晶后的第一Ge层的表面形成第二Ge层；对所述第二Ge层进行离子注入，形成第一N型Ge层；在所述第一N型Ge层上形成第一电极和第二电极。应用本发明实施例能够提高基于无线充电的肖特基二极管的电子迁移率。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种基于无线充电的肖特基二级及其制备方法。

背景技术

无线充电技术可以突破传统传输线的限制，使得输送电能无需依靠输电线，可以应用在多个领域，比如，给手机电池进行无线充电。具体的，电源可以通过无线充电系统的发射器将直流电转化为电磁波发射出去，由设置在手机内的无线充电系统的接收端将接收到的电磁波转化为直流电，实现对手机的无线充电。其中，转换效率是指无线充电系统将电磁波转化为直流电的效率，是评价无线充电系统性能的关键指标。整流天线是无线充电系统的接收端的关键部件，而整流二极管是整流电路的核心器件，因此，整流二极管的性能，尤其是整流二极管的电子迁移率可以决定无线充电系统的最大转换效率。

目前，可以使用肖特基二极管作为整流二极管。但是，肖特基二极管的电子迁移率还有待提高。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于无线充电的肖特基二级管及其制备方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种基于无线充电的肖特基二级管的制备方法，包括：

选取SiO₂衬底；

在所述SiO₂衬底表面形成第一Ge层；

采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶；

在所述再结晶后的第一Ge层的表面形成第二Ge层；

对所述第二Ge层进行离子注入，形成第一N型Ge层；

在所述第一N型Ge层上形成第一电极和第二电极。

在本发明的一个实施例中，在所述采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶的步骤之前，所述方法还包括：

使用化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition，CVD)方法，在所述第一Ge层的表面淀积100nm～150nm的SiO₂保护层。

在本发明的一个实施例中，所述采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶的步骤，包括：

将表面淀积有所述SiO₂保护层的第一Ge层加热至600℃～650℃；

对加热后的第一Ge层，采用连续激光扫描，其中，激光波长为808nm，激光功率密度为2.1kW/cm²，激光光斑尺寸为10nm×1nm，激光移动速度为20nm/s；

使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶。

在本发明的一个实施例中，在所述采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶的步骤之后，所述方法还包括：

利用干法刻蚀从所述第一Ge层的表面去除所述SiO₂保护层；

对去除所述SiO₂保护层后的第一Ge层的表面进行抛光处理。