[发明专利]一种合成单层过渡金属硫族化合物的方法有效
| 申请号： | 201811620679.9 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109437124B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 周强;柳艳;李芳菲 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合成 单层 过渡 金属 化合物 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种合成单层过渡金属硫族化合物的方法，以二硒化钼粉末或二硒化钨粉末为原料，以Si/SiO2或蓝宝石为基底，以气体的体积比例为95％Ar和5％H2的混合气体为载气；首先，将石英片放在石英舟里面，将原料和基底放在石英片上，最后将它们一同放入高温真空管式炉的中间加热区，并且中间加热区既作为原料的融化蒸发的区域又作为基底承接样品沉积的区域，保证原料放置在基底的前方，封闭高温真空管式炉，排出高温真空管式炉中的气体，再充入载气；在载气流量25标准毫升/分钟下，原料为二硒化钼粉末时使高温真空管式炉的中间加热区温度升至946～960℃，原料为二硒化钨粉末时使高温真空管式炉的中间加热区温度升至900℃；再保温15分钟；自然冷却到室温，在基底上得到单层MoSe2或单层WSe2。
2.根据权利要求1所述的合成单层过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于，高温真空管式炉加热区是以22～23℃/min的升温速率升至900～960℃。
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