[发明专利]一种太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上制备光电转换层，所述基板上形成未被所述光电转换层覆盖的预留区；

将位于所述预留区内的预设位置作为刻划起始点，对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成第一刻划线之后，还包括：

对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线，所述第二刻划线的起始点与所述第一刻划线的终点重合，且所述第二刻划线位于所述第一刻划线的延长线上。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成第二刻划线之后，还包括：

制备电极层，所述电极层覆盖在所述预留区和所述光电转换层上；

将所述电极层上正对所述光电转换层的区域内的预设位置作为刻划起始点，对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成第三刻划线之后，还包括：

对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，所述第四刻划线的起始点与所述第三刻划线的终点重合，且所述第四刻划线位于所述第三刻划线的延长线上。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线，包括：

按照第一刻划参数对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线；

所述第一刻划参数包括第一刻划速度和第一刻划针压，其中，第一刻划速度的取值范围为900mm/s至1100mm/s，第一刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线，包括：

按照第二刻划参数对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线；

所述第二刻划参数包括第二刻划速度和第二刻划针压，其中，第二刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第二刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线，包括：

按照第三刻划参数对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线；

所述第三刻划参数包括下针速度、第三刻划速度和第三刻划针压，其中，所述下针速度的取值范围为10mm/s至20mm/s，所述第三刻划速度的取值范围为180mm/s至220mm/s，所述第三刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，包括：

所述第四刻划参数包括第四刻划速度和第四刻划针压，其中，第四刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第四刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻划线的长度的取值范围为3mm至8mm。

10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三刻划线的长度的取值范围为0.15mm至1mm。

11.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，

制备电极层，所述电极层覆盖在预留区和光电转换层上；所述预留区为在基板上制备光电转换层时，所述基板的未被所述光电转换层覆盖的区域；

将所述电极层上正对所述光电转换层的区域内的预设位置作为刻划起始点，对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在形成第三刻划线之后，还包括：

对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，所述第四刻划线的起始点与所述第三刻划线的终点重合，且所述第四刻划线位于所述第三刻划线的延长线上。