[发明专利]一种太阳能电池的制备方法

说明书

本发明实施例提供一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括：在基板上制备光电转换层，并在所述基板上形成未被所述光电转换层覆盖的预留区；将位于所述预留区内的预设位置作为刻划起始点，对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线。这样，可通过灵活调节第一刻划线的刻划起始点来改善刻划过程中的过刻、漏刻现象，降低过刻、漏刻概率。

技术领域

本发明涉及电池刻划技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法。

背景技术

铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池在制作过程中需要引入三次刻划。首先，在钠钙玻璃衬底上镀完钼(Mo)背电极层后，利用激光在Mo背电极层表面进行第一次划线将其均匀分割成一个个细长的小区，将第一次刻划记为P1，其次，继续镀完CIGS吸光层和硫化镉(CdS)或氧化锌(ZnO)缓冲层后，利用激光或机械的方式在P1右侧附近并且平行于P1进行第二次刻划，划穿CIGS吸光层和CdS/ZnO缓冲层，将第二次刻划记为P2；最后，镀上掺铝氧化锌(AZO)顶电极层，把每个相邻小区的AZO顶电极层和Mo背电极层连接起来，利用激光或机械的方式在P2右侧附近并且平行于P2进行第三次刻划，划穿AZO顶电极层，切断每个相邻小区的AZO顶电极层和Mo背电极层的连接，将第三次刻划记为P3。

目前，采用机械方式对CIGS薄膜太阳能电池进行刻划时，容易发生过刻时、漏刻，若通过调整针压的方式改善，效果并不明显，过刻、漏刻的概率仍旧过高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能电池的制备方法，以解决现有技术中在对CIGS薄膜太阳能电池进行刻划时，过刻、漏刻概率高的问题。

为了达到上述目的，本发明提供一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括：

在基板上制备光电转换层，并在所述基板上形成未被所述光电转换层覆盖的预留区；

将位于所述预留区内的预设位置作为刻划起始点，对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线。

进一步的，在形成第一刻划线之后，还包括：

对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线，所述第二刻划线的起始点与所述第一刻划线的终点重合，且所述第二刻划线位于所述第一刻划线的延长线上。

进一步的，在形成第二刻划线之后，还包括：

制备电极层，所述电极层覆盖在所述预留区和所述光电转换层上；

将所述电极层上正对所述光电转换层的区域内的预设位置作为刻划起始点，对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线。

进一步的，在形成第三刻划线之后，还包括：

对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，所述第四刻划线的起始点与所述第三刻划线的终点重合，且所述第四刻划线位于所述第三刻划线的延长线上。

进一步的，所述对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线，包括：

按照第一刻划参数对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线；

所述第一刻划参数包括第一刻划速度和第一刻划针压，其中，第一刻划速度的取值范围为900mm/s至1100mm/s，第一刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。

进一步的，所述对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线，包括：

按照第二刻划参数对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线；

所述第二刻划参数包括第二刻划速度和第二刻划针压，其中，第二刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第二刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。

进一步的，所述对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线，包括：