[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括：第一导电层以及位于所述第一导电层上的介电层；

在所述介电层顶部形成掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述介电层，形成位于所述介电层内并露出所述第一导电层的沟槽；

形成保形覆盖所述沟槽的阻挡层；

在所述阻挡层上保形覆盖粘附层；

在所述粘附层上保形覆盖衬里层，所述衬里层还形成在所述掩膜层上；

形成所述衬里层后，形成保形覆盖所述衬里层的种子层，形成种子层后，在所述沟槽内形成第二导电层，形成所述第二导电层的步骤包括：向形成有所述种子层的所述沟槽中填充导电材料，所述导电材料还形成在衬里层上；形成所述导电材料之后，去除露出所述沟槽的导电材料、掩膜层、以及位于所述掩膜层上的阻挡层和衬里层，剩余的位于所述沟槽中的导电材料用于作为第二导电层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述粘附层的材料为Ru或W。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述粘附层的厚度为10埃米至20埃米。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或者物理气相沉积工艺形成所述粘附层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺形成阻挡层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为TaN、Ta、Ti、TiN、ZrN和ZrTiN中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为10埃米至40埃米。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬里层的材料包括Co、Al、W和Ti中的一种或多种。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成衬里层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬里层的厚度为10埃米至40埃米。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电层的材料包括Cu、Al或Co。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用电化学电镀工艺在所述沟槽中填充导电材料。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述第二导电层后，对所述半导体结构进行退火处理。

14.一种采用权利要求1～13任一所述的形成方法形成的半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一导电层以及位于所述第一导电层上的介电层；

沟槽，位于所述介电层中，且露出所述第一导电层；

阻挡层，保形覆盖于所述沟槽的底部和侧壁；

粘附层，保形覆盖于所述阻挡层上；

衬里层，保形覆盖于所述粘附层上；

种子层，保形覆盖于所述衬里层上；

第二导电层，填充于所述沟槽中。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述粘附层的材料为Ru

或W。

16.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述粘附层的厚度为10埃米至20埃米。