[发明专利]介电膜、具备该介电膜的半导体存储元件以及制造方法

权利要求书

1.一种介电膜，其特征在于，

由化学式为Be_xM_1-xO的化合物构成，所述M是碱土金属中的一种，所述x的值大于0且小于0.5，且所述介电膜具有岩盐结构作为常温稳定相，

其中，所述介电膜是铍氧化物和碱土金属氧化物各不发生相分离而形成岩盐结构固溶体的化合物。

2.根据权利要求1所述的介电膜，其特征在于，

所述M是Mg、Ca、Sr以及Ba中的一种。

3.根据权利要求1所述的介电膜，其特征在于，

所述M是碱土金属，该碱土金属的氧化物能够具有岩盐结构作为常温稳定相。

4.根据权利要求1所述的介电膜，其特征在于，

所述x的值大于0且小于等于0.38。

5.根据权利要求4所述的介电膜，其特征在于，

所述x的值大于等于0.1且小于等于0.32。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的介电膜，其特征在于，

所述介电膜是半导体存储元件的电容器介电膜。

7.一种介电膜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

通过原子层蒸镀工序蒸镀铍氧化物以及碱土金属氧化物的叠层结构体；

对所述叠层结构体进行热处理，从而形成介电膜，

所述介电膜由化学式为Be_xM_1-xO的化合物构成，所述M是碱土金属中的一种，所述x的值大于0且小于0.5，且所述介电膜具有岩盐结构作为常温稳定相，

其中，所述介电膜是铍氧化物和碱土金属氧化物各不发生相分离而形成岩盐结构固溶体的化合物。

8.根据权利要求7所述的介电膜的制造方法，其特征在于，

所述原子层蒸镀工序在常温至350℃内的温度范围下进行，所述热处理在300℃至600℃的温度范围下进行。

9.根据权利要求7所述的介电膜的制造方法，其特征在于，

所述M是Mg、Ca、Sr以及Ba中的一种。

10.一种半导体存储元件，其特征在于，

所述半导体存储元件具备电容器，所述电容器包括：下部电极；介电膜，位于所述下部电极上；以及上部电极，位于所述介电膜上，

所述介电膜由化学式为Be_xM_1-xO的化合物构成，所述M是碱土金属中的一种，所述x的值大于0且小于0.5，且所述介电膜具有岩盐结构作为常温稳定相，

其中，所述介电膜是铍氧化物和碱土金属氧化物各不发生相分离而形成岩盐结构固溶体的化合物。

11.根据权利要求10所述的半导体存储元件，其特征在于，

所述M是Mg、Ca、Sr以及Ba中的一种。

12.根据权利要求10所述的半导体存储元件，其特征在于，

所述M是碱土金属，该碱土金属的氧化物能够具有岩盐结构作为常温稳定相。

13.根据权利要求10所述的半导体存储元件，其特征在于，

所述x的值大于0且小于等于0.38。

14.根据权利要求13所述的半导体存储元件，其特征在于，

所述x的值大于等于0.1且小于等于0.32。