[发明专利]复合材料、薄膜及其制备方法、量子点发光二极管

权利要求书

1.一种薄膜，所述薄膜用作量子点发光二极管的电子传输层，其特征在于，所述薄膜的材料包括复合材料，所述复合材料为纳米氧化锌和石墨烯，且以所述复合材料的总重量为100％计，所述石墨烯的重量百分含量为0.1％～10％，所述石墨烯的重量百分含量沿着垂直于所述薄膜的方向梯度分布。

2.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，以所述复合材料的总重量为100％计，所述石墨烯的重量百分含量为3％～10％。

3.一种薄膜的制备方法，所述薄膜用作量子点发光二极管的电子传输层，其特征在于，包括以下步骤：

按照石墨烯占石墨烯和纳米氧化锌总重量的0.1％～10％的比例，将纳米氧化锌和石墨烯分散在有机溶剂中，混合后进行超声处理，得到混合溶液；

将所述混合溶液沉积在基底表面，干燥成膜，形成石墨烯的重量百分含量沿着垂直于薄膜的方向梯度分布的薄膜。

4.如权利要求3所述的薄膜的制备方法，其特征在于，将所述混合溶液沉积在基底表面，干燥成膜的方法为：

将所述混合溶液沉积在基底表面，将沉积有所述混合溶液的基底置于可加热装置中，其中，所述可加热装置包括相对且平行设置的底板和顶板，且所述沉积有所述混合溶液的基底平行于所述底板放置在所述可密闭装置中；

对所述可密闭装置进行加热处理。

5.如权利要求4所述的薄膜的制备方法，其特征在于，对所述可密闭装置进行加热处理的步骤中，所述可加热装置中，所述底板的温度为60℃～80℃，所述顶板的温度为80℃～120℃，且所述底板和所述顶板的温度差大于等于20℃。

6.如权利要求3所述的薄膜的制备方法，其特征在于，将所述混合溶液沉积在基底表面，干燥成膜的方法为：

将所述混合溶液沉积在基底表面，将沉积有所述混合溶液的基底置于热板上，在所述热板外接正电压的条件下进行加热处理，制备薄膜。

7.如权利要求6所述的薄膜的制备方法，其特征在于，在所述热板外接正电压的条件下进行加热处理的步骤，在温度为80～120℃的条件下进行。

8.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，其中，所述电子传输层的材料为权利要求1或2所述的薄膜。

9.如权利要求8所述的量子点发光二极管，其特征在于，从所述量子点发光层到所述阴极的方向，所述电子传输层中的石墨烯的含量渐增。

10.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

按照石墨烯占石墨烯和纳米氧化锌总重量的0.1％～10％的比例，将纳米氧化锌和石墨烯分散在有机溶剂中，混合后进行超声处理，得到混合溶液；

提供第一基板，将所述混合溶液沉积在所述第一基板表面，干燥成膜，制备石墨烯的重量百分含量沿着垂直于薄膜的方向梯度分布的电子传输层。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一基板包括阳极，在所述阳极上设置的量子点发光层，所述方法还包括：在所述电子传输层背离所述量子点发光层的表面制备阴极，从所述量子点发光层到所述阴极的方向，所述电子传输层中的石墨烯的含量渐增；或，所述第一基板包括阴极，所述方法还包括：在所述电子传输层背离所述阴极的表面制备量子点发光层，在所述量子点发光层背离所述阴极的表面制备阳极，从所述量子点发光层到所述阴极的方向，所述电子传输层中的石墨烯的含量渐增。