[发明专利]复合材料、薄膜及其制备方法、量子点发光二极管

说明书

本发明提供了一种复合材料，所述复合材料为纳米氧化锌和石墨烯，且以所述复合材料的总重量为100％计，所述石墨烯的重量百分含量为0.1％～10％。将纳米氧化锌和适量的石墨烯的复合材料用作量子点发光器件的电子传输层材料时，可以避免电子进一步传输到量子点的价带，减少激子淬灭几率，提高器件发光效率。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种复合材料，一种薄膜及其制备方法，以及一种量子点发光二极管。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)是在阳极和阴极加上直流电压，驱动量子点材料发光的器件，其具有色彩饱和、纯度高、单色性佳、颜色可调以及可用溶液法制备等优点，被认为是下一代平板显示器的优势技术。

目前研究较为成熟的QLED通常采用多层结构，器件中包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极。而合格的载流子传输层通常需要有合适的光电性能(包括能带结构、导电性、功函数)，良好的稳定性和溶液加工性。ZnO具有宽带隙、高光学透明度、化学和热稳定性好、载流子浓度高、电子传输速率快等特点，是理想的电子传输层材料。然而ZnO中由于存在较多由于氧空位产生的表面缺陷态，会捕获从电极注入的电子，再进一步传输到量子点的价带，淬灭激子，减弱器件发光效率。同时目前主流的QLED器件中(ZnO作为电子传输层，有机物作为空穴传输层)，电子传输层电子的传输效率要比空穴传输层空穴的传输效率高很多，因此，为了实现电荷平衡，有研究人员通过在ZnO和量子点发光层(QDs)中间加入阻挡层的方式来减少电子的注入，提高器件发光效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种复合材料，旨在解决现有技术采用纳米氧化锌作为电子传输层时，表面缺陷态多，淬灭激子，且不利于实现电荷平衡的问题。

本发明一方面提供一种含有上述复合材料的薄膜及其制备方法。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述复合材料或薄膜的量子点发光二极管。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种复合材料，所述复合材料为纳米氧化锌和石墨烯，且以所述复合材料的总重量为100％计，所述石墨烯的重量百分含量为0.1％～10％。

一种薄膜，所述薄膜的材料包括复合材料，所述复合材料为纳米氧化锌和石墨烯，且以所述复合材料的总重量为100％计，所述石墨烯的重量百分含量为0.1％～10％。

一种薄膜的制备方法，包括以下步骤：

按照石墨烯占石墨烯和纳米氧化锌总重量的0.1％～10％的比例，将纳米氧化锌和石墨烯分散在有机溶剂中，混合后进行超声处理，得到混合溶液；

将所述混合溶液沉积在基底表面，干燥成膜。

一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，其中，所述电子传输层的材料为本发明所述的复合材料，或所述电子传输层为本发明所述的薄膜。

相应的，一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

按照石墨烯占石墨烯和纳米氧化锌总重量的0.1％～10％的比例，将纳米氧化锌和石墨烯分散在有机溶剂中，混合后进行超声处理，得到混合溶液；

提供第一基板，将所述混合溶液沉积在所述第一基板表面，干燥成膜，制备电子传输层。