[发明专利]一种去除死区电压的小信号检测电路及方法

说明书

本发明涉及去除死区电压的小信号检测电路，包括带ADC检测功能的MCU主控模块、为MCU主控模块提供电压的LDO模块、第一偏置电压电阻、第二偏置电压电阻和电流采样电阻；LDO模块、第一偏置电压电阻、第二偏置电压电阻、电流采样电阻和MCU主控模块依次电连接构回路；电流采样电阻与第二偏置电压电阻电连接一端电连接有采样电流输入端；第二偏置电压电阻与第一偏置电压电阻电连接一端与MCU主控模块的ADC端电连接；通过第一偏置电压电阻和第二偏置电压电阻分压产生一个偏置电压，采用伪差分方式来采集小信号，相对传统直接采集信号量对单片机地的方式成本及资料开销一样，但检测小信号结果要比传统检测方式的精度更高、一致性更好。

技术领域

本发明涉及小电流信号检测技术领域，更具体地说，涉及一种去除死区电压的小信号检测电路及方法。

背景技术

传统检测小信号方法一般是直接采集信号量对单片机地的电压来与理论的AD值作比较。而一般芯片的ADC检测都有检测盲区，也就是俗称的死区电压(OFFSEN)。一般死区电压为正负2-3mv，而这对于一些小信号来说是非常大的。这样的检测方法检测小信号出来的结果误差很大，而且一致性很差。当然如果采用精度更高的ADC来检测，也可以解决这种问题，但是成本就增加了很多。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种去除死区电压的小信号检测电路；

还提供了一种去除死区电压的小信号检测方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

构造一种去除死区电压的小信号检测电路，其中，包括带ADC检测功能的MCU主控模块、为所述MCU主控模块提供电压的LDO模块、第一偏置电压电阻、第二偏置电压电阻和电流采样电阻；所述LDO模块、所述第一偏置电压电阻、所述第二偏置电压电阻、所述电流采样电阻和所述MCU主控模块依次电连接构回路；所述电流采样电阻与所述第二偏置电压电阻电连接一端电连接有采样电流输入端；所述第二偏置电压电阻与所述第一偏置电压电阻电连接一端与所述MCU主控模块的ADC端电连接。

本发明所述的去除死区电压的小信号检测电路，其中，所述回路中，设置有与所述第二偏置电压电阻以及所述电流采样电阻并联的滤波电容。

本发明所述的去除死区电压的小信号检测电路，其中，所述电流采样电阻与所述MCU主控模块电连接一端接地。

本发明所述的去除死区电压的小信号检测电路，其中，所述第一偏置电压电阻为可调电阻。

本发明所述的去除死区电压的小信号检测电路，其中，所述第二偏置电压电阻为可调电阻。

一种去除死区电压的小信号检测方法，根据上述的去除死区电压的小信号检测电路，其实现方法如下：

所述MCU主控模块通过ADC端采集所述采样电流输入模块无输入电流状态下的第一信号量，并保存；

所述MCU主控模块通过ADC端采集所述采样电流输入模块有输入电流状态下的第二信号量，并保存；

所述MCU主控模块根据所述第一信号量和所述第二信号量的差值计算得到所述采用电流输入模块输入的电流大小和电流方向。

本发明所述的去除死区电压的小信号检测方法，其中，在所述采样电流输入模块无输入电流状态下，通过调节所述第一偏置电压电阻和/或所述第二偏置电压电阻阻值，调节所述MCU主控模块的ADC采集线性及精度区间。