[发明专利]芯片封装结构和封装方法在审

专利信息
申请号: 201811626564.0 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN109801894A 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 孙鹏;任玉龙;刘军;吕书臣 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/528;H01L23/538;H01L23/31;H01L25/07
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 刘林涛
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 芯片 导电柱 第一表面 芯片正面 封装层 芯片封装结构 第二表面 预设区域 封装 暴露 堆叠芯片 金属端子 转接 第二面 电连接 包封 底面 堆叠 焊盘 基板 扇出 贴合 引脚 上层 应用
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构,其特征在于,至少包括:

底面相对贴合的第一芯片和第二芯片;

多个导电柱,分布在所述第一芯片周围;

引线,连接在所述第二芯片正面和金属端子的第一面之间;

封装层,包封所述第一芯片、第二芯片、引线、导电柱,具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面,所述第一表面暴露所述第一芯片的正面和所述导电柱的第二面,所述第二表面暴露所述第二芯片正面的预设区域;

引出层,设置在所述封装层的第一表面上,分别与所述导电柱的第一面和/或第一芯片的正面电连接。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述封装层包括第一封装层,包封所述第一芯片,并暴露所述第一芯片的背面。

第二封装层,设置在所述第一封装层上,包封所述第二芯片,并暴露所述第二芯片正面的预设区域。

3.如权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,

所述导电柱贯穿所述第一封装层,所述导电柱的第一面在所述第一封装层面向所述第一芯片背面的一面的表面具有延伸部。

4.如权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,

所述延伸部的表面具有与所述引线适配的镀层。

5.如权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,

所述第二芯片为探测芯片,所述预设区域为探测区域。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述引出层包括:第一介质层,设置在所述封装层的第一面上,具有与所述导电柱第二面、第一芯片的焊盘相对的第一通孔;

重布线层,所述重布线层形成在所述第一介质层背离所述封装层的一面,通过所述通孔与所述导电柱的第二面和第一芯片的焊盘电连接;

第二介质层,设置在所述重布线层背离所述第一介质层的一面,具有第二通孔;

引脚,分布第二通孔内。

7.一种芯片封装方法,其特征在于,包括:

提供一载片并在所述载片上倒装第一芯片,制作第一封装层,所述第一封装层背离所述载片的一面暴露所述第一芯片的背面;

在所述第一封装层上形成贯穿所述第一封装层的导电柱;

在所述第一芯片的背面正装所述第二芯片,并在所述第二芯片的正面焊盘和与所述焊盘对应的所述导电柱之间连接引线;

在所述第一封装层上制作第二封装层;

在所述第二封装层背离所述第一封装层的一面正对所述第二芯片的预设区域开槽,暴露所述预设区域;

拆除所述载片并在所述第一封装层拆除所述载片的一面形成引出层。

8.如权利要求7所述的封装方法,其特征在于,所述在所述第一封装层上形成贯穿所述第一封装层的导电柱包括:

在所述第一封装层上形成贯穿所述第一封装层的盲孔;

金属填充所述盲孔,并在所述第一封装层的背离所述载片的一面的表面形成延伸部;

在所述延伸部表面金属化镀与所述引线适配的镀层。

9.如权利要求8所述的封装方法,其特征在于,

在所述封装层拆除所述载片的一面形成第一介质层;

在所述第一介质层背离所述封装层的一面形成重布线层;

在所述重布线层背离所述第一介质层的一面形成第二介质层;

在第二通孔内形多个引脚。

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