[发明专利]倒装LED芯片

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：

倒装LED芯片本体；以及

间隔设置在所述倒装LED芯片本体正面上的奇数个条状通孔；

其中，奇数个条状通孔中的一个条状通孔为中心条状通孔，其经过所述倒装LED芯片本体的中轴线，所述中心条状通孔包括第一插栓通孔、外扩孔结构和贯穿所述外扩孔结构并与所述第一插栓通孔连接的条状凹槽部，所述第一插栓通孔用于形成N电极结构，所述外扩孔结构包含顶针区域。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述顶针区域是所述倒装LED芯片在封装工序中所使用的顶针所刺到的区域。

3.权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外扩孔结构为圆形或椭圆形，或者为圆形、椭圆形中的一种与其他形状的组合形状。

4.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外扩孔结构为圆形时，其直径范围为100μm～200μm。

5.如权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外扩孔结构的深度范围为0.1μm～10μm。

6.如权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片本体包括：

衬底；

依次形成于所述衬底上的N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；以及，

依次形成于所述P-GaN层上的透明导电层、反射层、金属保护层和绝缘保护层；

其中，所述奇数个条状通孔形成于所述绝缘保护层中。

7.如权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片本体正面包括第一区、第二区和绝缘区，所述绝缘区位于所述第一区和第二区之间，用以绝缘隔离所述第一区和第二区；

所述条状凹槽部位于所述第一区内，所述外扩孔结构位于所述绝缘区内，所述第一插栓通孔位于所述第二区内；

除了所述中心条状通孔的每个条状通孔包括一条状凹槽段和第一插栓通孔段，所述条状凹槽段连通所述第一插栓通孔段，所述条状凹槽段内部表面和所述第一插栓通孔段的侧壁表面覆盖有所述绝缘保护层；所述条状凹槽段位于所述第一区和绝缘区内，所述第一插栓通孔段位于所述第二区内。

8.如权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括：

间隔设置在所述第一区上且位于相邻的所述条状通孔之间的第二插栓通孔，所述第二插栓通孔的侧壁表面上形成有所述绝缘保护层；

间隔设置在所述第二区内的若干个第三插栓通孔，每个所述第三插栓通孔的侧壁表面上形成有所述绝缘保护层；

形成于所述第一区表面上的P电极结构层，所述P电极结构层填充所述第二插栓通孔形成P电极结构，且其与所述金属保护层电连接；

形成于所述第二区表面上的N电极结构层，所述N电极结构层填充所述中心条状通孔的第一插栓通孔和除了中心条状通孔的其他条状通孔的第一插栓通孔段以及第三插栓通孔形成N电极结构，其与所述N电极层电连接。

9.如权利要求7所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘保护层为SiO2、SiNx、SiO2、SiNx中的一种组成的单层结构，或者，所述绝缘保护层为SiO2、SiNx、SiO2、SiNx中的几种交替组成叠层结构。

10.如权利要求8所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属保护层为Cr、Au、Pt、Ni、Ti、TiW合金中的一种组成的单层结构，或者，所述金属保护层为Cr、Au、Pt、Ni、Ti、TiW合金中的几种交替组成叠层结构；所述透明导电层的材料为ITO或者ZnO；所述反射层的材料为Ag或者Al。