[发明专利]倒装LED芯片

说明书

本发明公开了一种倒装LED芯片，包括：倒装LED芯片本体；以及间隔设置在所述倒装LED芯片本体正面上的奇数个条状通孔；其中，奇数个条状通孔中的一个条状通孔为中心条状通孔，其经过所述倒装LED芯片本体的中轴线，所述中心条状通孔包括第一插栓通孔、外扩孔结构和贯穿所述外扩孔结构并与所述第一插栓通孔连接的条状凹槽部，所述第一插栓通孔用于形成N电极结构，所述外扩孔结构包含顶针区域。本发明解决了由于顶针刺破所述倒装LED芯片中心条状通孔上的绝缘保护层而导致的倒装LED芯片出现漏电失效的问题。

技术领域

本发明涉及LED芯片制造技术领域，特别是涉及一种倒装LED芯片。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种半导体固态发光器件，其利用半导体PN结电致发光原理制成。LED器件具有开启电压低、体积小、响应快、稳定性好、寿命长、无污染等良好光电性能，因此在室外室内照明、背光、显示、交通指示等领域具有越来越广泛的应用。

一般来说LED芯片分为水平结构(正装芯片)和倒装结构(倒装芯片)两种类型；对于芯片，在使用过程中，顶针会顶在芯片的正中心区域(顶针区域，及其以芯片为中心，半径≤50微米的范围)，对于正装芯片，顶针是顶在正装芯片的背面，由于正装芯片的背面为衬底面，因此顶针不会刺伤正装芯片，正装芯片会不失效。

对于倒装芯片，顶针会顶在倒装芯片的正面，由于倒装芯片的正面为带有工作结构的一面，顶针会刺伤倒装芯片的工作结构表面，使得倒装芯片失效。

对于设有偶数个条状通孔(N型或P型电极)的倒装芯片，由于条状通孔避开了顶针位于的正中心区域，即顶针会顶在相邻的两个条状通孔之间，由此不会出现由于顶针会刺破位于倒装芯片正面的条状通孔的Mesa台面处的保护层，使得所述芯片失效的问题。

然而，对于设有奇数个条状通孔的倒装芯片，其中的一个条状通孔会经过顶针位于的正中心区域，即顶针会顶在该条状通孔结构上，由此会出现由于顶针会刺破位于倒装芯片正面的该条状通孔的Mesa台面处的保护层，使得所述倒装芯片漏电失效的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种倒装LED芯片，将位于芯片中间区域的条状通孔上的经过顶针区域的部分设有直径大于顶针区域的直径的外扩孔结构，使得该外扩孔结构上的Mesa台面处于顶针区域之外，避免顶针刺伤Mesa台面处的绝缘保护层，从而实现避免倒装LED芯片漏电失效的目的。

为了实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种倒装LED芯片，包括：倒装LED芯片本体；以及间隔设置在所述倒装 LED芯片本体正面上的奇数个条状通孔；其中，奇数个条状通孔中的一个条状通孔为中心条状通孔，其经过所述倒装LED芯片本体的中轴线，所述中心条状通孔包括第一插栓通孔、外扩孔结构和贯穿所述外扩孔结构并与所述第一插栓通孔连接的条状凹槽部，所述第一插栓通孔用于形成N电极结构，所述外扩孔结构包含顶针区域。

进一步的，所述顶针区域是所述倒装LED芯片在封装工序中所使用的顶针所刺到的区域。

进一步的，所述外扩孔结构为圆形或椭圆形，或者为圆形、椭圆形中的一种与其他形状的组合形状。

进一步的，所述外扩孔结构为圆形时，其直径范围为100μm～200μm。

进一步的，所述外扩孔结构的深度范围为0.1μm～10μm。

进一步的，所述倒装LED芯片本体包括：衬底；依次形成于所述衬底上的 N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；以及，依次形成于所述P-GaN层上的透明导电层、反射层、金属保护层和绝缘保护层；其中，所述奇数个条状通孔形成于所述绝缘保护层中。

进一步的，所述倒装LED芯片本体正面包括第一区、第二区和绝缘区，所述绝缘区位于所述第一区和第二区之间，用以绝缘隔离所述第一区和第二区。