[发明专利]一种晶圆覆膜装置

说明书

本发明涉及电器元件制作技术领域，具体为一种晶圆覆膜装置，包括底箱，底箱侧壁上设置有送料孔，底箱上设置有用于放置晶圆的放置槽，放置槽外与其同心设置有环形的切割孔，底箱一侧铰接有盖体，还包括包边机构，盖体上竖直滑动设置有圆筒形的切刀，切刀能够驱动包边机构，切刀与盖体之间设置有切割弹簧，盖体内侧设置有圆柱形的压柱。本发明解决了现有技术中切割薄膜时，外围的薄膜会受到旋向的作用力而发生形变和褶皱，且需要人工将外围的薄膜包覆在晶圆上效率不高的问题。

技术领域

本发明涉及电器元件制作技术领域，具体为一种晶圆覆膜装置。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的IC产品。

晶圆是由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了晶圆。晶圆制作完成后需要在其表面覆膜，以保护晶圆，避免晶圆磨损。

传统的晶圆切割通常是人工操作，将薄膜覆盖在晶圆上，工人握持切刀沿着晶圆周边转动一圈从而实现薄膜的切割，最后将薄膜压紧在晶圆上即可。此种方式不仅效率低下，且切刀沿着晶圆周边转动，切割的过程中极易对晶圆的边缘造成磨损，影响晶圆的质量。

为了解决上述问题，现有技术中通常采用如图1所示的覆膜机给晶圆覆膜，该覆膜机包括底箱6，底箱6上设置有用于放置晶圆的放置槽4，放置槽4外设置有环形的切割孔5，底箱6一侧铰接有盖体1，盖体1上转动设置有切刀2。通过将晶圆放置在放置孔中，从底箱6上的送料孔3中将薄膜拉出并覆盖在晶圆上，然后盖上盖体1，驱动切刀2沿着切割孔5转动即可实现薄膜的切割。图1中切割孔5的直径大于晶圆的直径，切割时切刀2不会对晶圆的边缘造成磨损。

但是，由于切割时预留了晶圆外围的薄膜，故上述方式切割后需要人工将外围的薄膜包覆在晶圆上，才能完成整个晶圆的覆膜，效率依然不高。此外，上述方式在切割完成后打开盖体1时，外围的薄膜由于没有贴附在晶圆上，极易导致薄膜被掀起，从而影响贴膜的质量。再者，切割时外围的薄膜没有被压紧而处于自由状态，切刀2转动时会给这部分薄膜施加一个旋向的作用力，从而导致薄膜被拉扯发生形变和褶皱，影响晶圆贴膜的质量。

发明内容

本发明意在提供一种晶圆覆膜装置，以解决现有技术中切割薄膜时，外围的薄膜会受到旋向的作用力而发生形变和褶皱，且需要人工将外围的薄膜包覆在晶圆上效率不高的问题。

为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种晶圆覆膜装置，包括底箱，底箱侧壁上设置有送料孔，底箱上设置有用于放置晶圆的放置槽，放置槽外与其同心设置有环形的切割孔，底箱一侧铰接有盖体，还包括包边机构，盖体上竖直滑动设置有圆筒形的切刀，切刀能够驱动包边机构，切刀与盖体之间设置有切割弹簧，盖体内侧设置有圆柱形的压柱。

本发明的原理和有益效果为：

放置槽用于放置晶圆，送料孔用于供薄膜穿过，盖体用于安装切刀，压柱用于将薄膜压紧在晶圆上。通过将晶圆置于放置孔中，盖上盖体，向下按压切刀使得切刀从切割孔中穿过，即可实现薄膜的切割，切割弹簧用于驱动切刀复位。本发明采用圆筒形的切刀，通过向下按压切刀实现薄膜的切割，一改现有技术中转动切刀切割的方式，避免了薄膜在切割的过程中受到来自切刀旋向的作用力而发生形变和褶皱。切刀切割薄膜的同时能够驱动包边机构运作，包边机构用于将外围薄膜包覆在晶圆上，避免打开盖体时外围薄膜被掀起而影响晶圆覆膜的质量。利用切刀驱动包边机构，与额外使用动力驱动包边机构相比，节约了动力资源。

进一步，包边机构包括设置在放置槽槽底的吸气孔，吸气孔连通有吸气通道，吸气通道设置在底箱内，吸气通道连通有吸气机构。吸气孔用于将吸气通道与放置槽连通，吸气机构用于把晶圆和外围薄膜之间的气体吸附至吸气通道内，从而使得外围薄膜包覆在晶圆的侧壁上。