[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201811627577.X | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN110767694B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 刘如胜;楼均辉;张露;孙婕;张萌 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
第一电极层,所述第一电极层形成于所述衬底上;
发光层,所述发光层包括第一发光区、第二发光区和第三发光区,所述第二发光区位于所述第一发光区和所述第三发光区之间,所述第一发光区为非透明区、所述第三发光区为透明区,所述第一发光区包括多个第一发光结构、所述第二发光区包括多个第二发光结构、所述第三发光区包括多个第三发光结构;
第二电极层,所述第二电极层形成于所述发光层上;
其中,所述多个第一发光结构、所述多个第二发光结构和所述多个第三发光结构的分布密度依次渐变;
所述第二发光区包括:
第一过渡区,所述第一过渡区与所述第一发光区相邻;
第二过渡区,所述第二过渡区位于所述第一过渡区和所述第三发光区之间;
其中,所述第一过渡区和所述第二过渡区均为非透明区,且所述第二过渡区设置有通过导线电连接至所述第三发光结构的驱动电路。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一发光结构、所述第二发光结构和所述第三发光结构的分布密度依次递减。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一发光结构、所述第二发光结构和所述第三发光结构的面积递增。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一发光结构、所述第二发光结构和所述第三发光结构的宽度递增。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,多所述第一发光结构、所述第二发光结构和所述第三发光结构的长度递增。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,相邻所述第一发光结构之间的间距、相邻所述第二发光结构之间的间距和相邻所述第三发光结构之间的间距递增。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二过渡区没有偏光片。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极层包括对应于所述第三发光区设置的多个第一电极,该多个第一电极成行成列排布;
其中,每一列所述第一电极连接同一所述驱动电路;或者
每一第一电极连接同一所述驱动电路。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极层包括对应于所述第三发光区设置的多个第一电极,每一第一电极对应多个所述第三发光结构。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,每一第一电极对应的第三发光结构颜色相同。
11.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极为条状电极,多个所述第一电极排列成多行多列或者一行多列。
12.根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极的延伸方向与所述第三发光结构的行方向平行或者垂直。
13.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,每一所述第一电极对应沿第一方向设置的多列所述第三发光结构,所述第一方向为所述第一电极的延伸方向。
14.根据权利要求13所述的阵列基板,其特征在于,在第二方向上,同一所述第一电极上相邻的两个所述第三发光结构对齐设置或者错位设置,所述第二方向与所述第一方向垂直。
15.根据权利要求13所述的阵列基板,其特征在于,同一所述第一电极上相邻的两个所述第三发光结构的中轴线在第二方向上的间距、为所述第三发光结构在第二方向上尺寸的0.5-2倍,所述第二方向与所述第一方向垂直。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的