[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201811627577.X | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN110767694B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 刘如胜;楼均辉;张露;孙婕;张萌 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。阵列基板包括:衬底;第一电极层,所述第一电极层形成于所述衬底上;发光层,所述发光层包括第一发光区、第二发光区和第三发光区,所述第二发光区位于所述第一发光区和所述第三发光区之间,所述第一发光区为非透明区、所述第三发光区为透明区,所述第一发光区包括多个第一发光结构、所述第二发光区包括多个第二发光结构、所述第三发光区包括多个第三发光结构;第二电极层,所述第二电极层形成于所述发光层上;其中,所述多个第一发光结构、所述多个第二发光结构和所述多个第三发光结构的分布密度依次渐变。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着电子设备的快速发展,用户对屏占比的要求越来越高,使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。
传统的电子设备如手机、平板电脑等,由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等,故而可通过在显示面板上开槽(Notch),在开槽区域设置摄像头、听筒以及红外感应元件等,但开槽区域并不用来显示画面,如现有技术中的刘海屏,或者采用在屏幕上开孔的方式,对于实现摄像功能的电子设备来说,外界光线可通过屏幕上的开孔处进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏,并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示,如在摄像头区域不能显示画面。
发明内容
为解决相关技术中的技术问题,本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。
根据本申请的实施例,提供一种阵列基板,包括:
衬底;
第一电极层,所述第一电极层形成于所述衬底上;
发光层,所述发光层包括第一发光区、第二发光区和第三发光区,所述第二发光区位于所述第一发光区和所述第三发光区之间,所述第一发光区为非透明区、所述第三发光区为透明区,所述第一发光区包括多个第一发光结构、所述第二发光区包括多个第二发光结构、所述第三发光区包括多个第三发光结构;
第二电极层,所述第二电极层形成于所述发光层上;
其中,所述多个第一发光结构、所述多个第二发光结构和所述多个第三发光结构的分布密度依次渐变。
可选的,所述第一发光结构、所述第二发光结构和所述第三发光结构的分布密度依次递减。由于是多个第一发光结构的分布密度、多个第二发光结构的分布密度、和多个第三发光结构的分布密度依次递减,从而一种情况下可以是相邻第三发光结构间距增加,从而能够降低第三发光区发生衍射的概率;或者也可以发光结构的面积增加,从而能够减少第三发光区相邻第三发光结构之间的间隙数量,从而降低第三发光区发生衍射的概率。
可选的,所述第一发光结构、所述第二发光结构和所述第三发光结构的面积递增。第一发光结构、所述第二发光结构和所述第三发光结构的面积递增,在黑色矩阵相等的情况下,有利于提高第三发光结构的开口率,增强第三发光结构的亮度,密度第三发光区由于透明而双向透过导致亮度低的弊端。
可选的,所述第一发光结构、所述第二发光结构和所述第三发光结构的宽度递增。
可选的,多所述第一发光结构、所述第二发光结构和所述第三发光结构的长度递增。
可选的,相邻所述第一发光结构之间的间距、相邻所述第二发光结构之间的间距和相邻所述第三发光结构之间的间距递增。通过增加间距降低分布密度,从而使得第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构的面积可以相等,可以降低蒸镀mask的加工难度,而且减低针对发光结构的蒸镀难度。
可选的,所述第二发光区包括:
第一过渡区,所述第一过渡区与所述第一发光区相邻;
第二过渡区,所述第二过渡区位于所述第一过渡区和所述第三发光区之间;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的