[发明专利]苯并吡嗪类化合物在铜面粗化中的应用及包含其的铜面粗化用组合物有效
申请号: | 201811628787.0 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN109706453B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 杜小林;叶绍明;赵明宇;万会勇;刘彬云 | 申请(专利权)人: | 广东东硕科技有限公司 |
主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18;H05K3/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑彤;万志香 |
地址: | 510550 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吡嗪类 化合物 铜面粗化 中的 应用 包含 铜面粗 化用 组合 | ||
1.式(Ⅰ)所示的苯并吡嗪类化合物在制备包含有缓蚀剂的铜面粗化用组合物中的应用
其中,R1、R2、R3和R4各自独立地选自氢原子、甲基、羟基、羧基或硝基;
R5和R6各自独立地选自氢原子、羧基或氯原子。
2.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述式(Ⅰ)所示的苯并吡嗪类化合物为苯并吡嗪、6-羧基苯并吡嗪、2-羧基苯并吡嗪、5-羟基苯并吡嗪、5-甲基苯并吡嗪、2,3-二氯苯并吡嗪或6-硝基-2,3-二氯苯并吡嗪。
3.一种铜面粗化用组合物,其特征在于,至少含有一种式(Ⅰ)所示的苯并吡嗪类化合物,
其中,R1、R2、R3和R4各自独立地选自氢原子、甲基、羟基、羧基或硝基;
R5和R6各自独立地选自氢原子、羧基或氯原子;
所述铜面粗化用组合物还包括硫酸、过氧化氢、缓蚀剂、卤离子源和溶剂。
4.根据权利要求3所述的铜面粗化用组合物,其特征在于,在所述铜面粗化用组合物中,所述式(Ⅰ)所示的苯并吡嗪类化合物的浓度为0.5-5g/L,所述硫酸的浓度为70-110g/L,所述过氧化氢的浓度为10-12g/L,所述缓蚀剂的浓度为8-12g/L,所述卤离子源的卤离子浓度为10-20ppm。
5.根据权利要求3-4任一项所述的铜面粗化用组合物,其特征在于,所述式(Ⅰ)所示的苯并吡嗪类化合物为苯并吡嗪、6-羧基苯并吡嗪、2-羧基苯并吡嗪、5-羟基苯并吡嗪、5-甲基苯并吡嗪、2,3-二氯苯并吡嗪或6-硝基-2,3-二氯苯并吡嗪。
6.根据权利要求3-4任一项所述的铜面粗化用组合物,其特征在于,所述缓蚀剂为苯并三氮唑类物质。
7.根据权利要求3-4任一项所述的铜面粗化用组合物,其特征在于,所述缓蚀剂选自苯并三氮唑和5-甲基-1-氯苯并三氮唑中的一种或多种。
8.根据权利要求3-4任一项所述的铜面粗化用组合物,其特征在于,所述卤离子源选自盐酸、氯化钠和氯化钾中的一种或多种。
9.一种电路板制备方法,其特征在于,包括使用权利要求3~8任一项所述的铜面粗化用组合物进行铜面处理的步骤。
10.权利要求9所述的电路板制备方法制备得到的电路板。
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