[发明专利]双传输门及用于双传输门的双规则集成电路布局有效
申请号: | 201811629442.7 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN110661518B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 彭士玮;庄惠中;曾健庭;田丽钧;苏品岱;林威呈 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H01L27/02 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传输 用于 规则 集成电路 布局 | ||
本发明的实施例公开了双传输门和用于双传输门的各种示例性集成电路布局。集成电路布局表示双高度集成电路布局,也称为双规则集成电路布局。这些双规则集成电路布局包括电子器件设计基板面的多行中的第一组行,和电子器件设计基板面的多行中的第二组行,以容纳半导体堆叠件的第一金属层。第一组行可以包括诸如第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的第一对CMOS晶体管,并且第二组行可以包括诸如第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的第二对CMOS晶体管。这些示例性集成电路布局公开了设置在半导体堆叠件的氧化物扩散(OD)层、多晶硅层、金属扩散(MD)层、第一金属层和/或第二金属层内的各种几何形状的各种配置和布置。
技术领域
本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域,更具体地,涉及双传输门及用于双传输门的双规则集成电路布局。
背景技术
有时称为模拟开关的传输门代表将信号从输入端子选择性地传递至输出端子的电子元件。通常,传输门包括p型金属氧化物半导体场效应(PMOS)晶体管和n型金属氧化物半导体场效应(NMOS)晶体管。PMOS晶体管和NMOS晶体管可以使用互补时钟信号互补偏置,从而使得PMOS晶体管和NMOS晶体管共同导通,即在导通状态下,以将信号从输入端子传递至输出端子。可选地,互补时钟信号可以使PMOS晶体管和NMOS晶体管不导通,即处于截止状态,以防止信号从输入端子传递至输出端子。
在一些情况下,互补时钟信号也可以用于偏置另一传输门以形成双传输门。该双传输门可以包括与传输门相对应的第一输入端子、与其他传输门相对应的第二输入端子以及由传输门和其他传输门共享的公共输出端子。在这些情况下,互补时钟信号可以使传输门将信号从第一输入端子传递至公共输出端子,并且可以防止其他传输门将第二信号从第二输入端子传递至公共输出端子。可选地,互补时钟信号可以防止传输门将信号从第一输入端子传递至公共输出端子,并且可以使其他传输门将第二信号从第二输入端子传递至公共输出端子。
发明内容
根据本发明的一方面,提供了一种双传输门,包括:第一p型金属氧化物半导体场效应(PMOS)晶体管,设置在电子器件设计基板面的多行中的第一行内,配置为接收第一时钟信号;第一n型金属氧化物半导体场效应(NMOS)晶体管,设置在所述多行中的第二行内,配置为接收第二时钟信号;第二PMOS晶体管,设置在所述多行中的第三行内,配置为接收所述第二时钟信号;第二NMOS晶体管,设置在所述多行中的第四行内,配置为接收所述第一时钟信号;第一区和第二区,对应于第一时钟信号,分别沿着所述第一行和所述第四行设置在半导体堆叠件的第一互连层内;第三区,沿着所述电子器件设计基板面的多列中的第一列设置在所述半导体堆叠件的第二互连层内,并且配置为电连接所述第一区和所述第二区。
根据本发明的另一方面,提供了一种双传输门,包括:第一对互补金属氧化物半导体场效应(CMOS)晶体管,设置在电子器件设计基板面的多列中的第一列内,布置为形成第一传输门,所述第一传输门配置为响应于处于第一逻辑电平的第一时钟信号和处于第二逻辑电平的第二时钟信号,在第一端子和第二端子之间传送第一信号;第二对CMOS晶体管,设置在所述电子器件设计基板面的多列中的第二列内,布置为形成第二传输门,所述第二传输门配置为响应于处于第二逻辑电平的第一时钟信号和处于第一逻辑电平的第二时钟信号,在所述第二端子和第三端子之间传送第二信号;第一区和第二区,对应于所述第一时钟信号,并且分别沿所述电子器件设计基板面的多行中的第一行和第二行设置在半导体堆叠件的第一互连层内;第三区,沿所述电子器件设计基板面的所述多列中的第二列设置在所述半导体堆叠件的第二互连层内,配置为电连接所述第一区和所述第二区;第四区和第五区,对应于所述第二时钟信号,分别沿所述多行中的第三行和第四行设置在所述半导体堆叠件的所述第一互连层内;以及第六区,沿所述电子器件设计基板面的所述多列中的第三列设置在所述半导体堆叠件的所述第二互连层内,配置为电连接所述第四区和所述第五区。
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