[发明专利]一种薄膜及其制备方法与量子点发光二极管

权利要求书

1.一种复合材料，其特征在于，包括氧化钛以及配位结合在所述氧化钛表面的乙酰丙酮钇，其中，所述乙酰丙酮钇由氧化钇和乙酰丙酮反应制得，并按照乙酰丙酮钇和氧化钛的摩尔比为0.5-1.5：1的比例，将所述乙酰丙酮钇和氧化钛加入有机溶剂中，混合使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面，制得所述复合材料。

2.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

将氧化钇与无机酸混合，制得钇盐溶液；

向所述钇盐溶液中加入乙酰丙酮和有机溶剂并混合，得到均相分散溶液；

向所述均相分散溶液中加入碱液，混合反应生成乙酰丙酮钇；

按乙酰丙酮钇和氧化钛的摩尔比为0.5-1.5：1的比例，将所述乙酰丙酮钇和氧化钛加入有机溶剂中，混合使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面，制得所述复合材料。

3.根据权利要求2所述复合材料的制备方法，其特征在于，所述乙酰丙酮与钇盐中的Y³⁺的摩尔比为3-4:1；和/或，所述碱液中的OH^-与钇盐溶液中的Y³⁺的摩尔比为2.5-3:1。

4.一种量子点发光二极管，包括阴极和阳极，设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层以及设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层材料为权利要求1所述的复合材料。

5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层和阳极之间还设置有空穴注入层和空穴传输层中的一种或两种。

6.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20-60nm。

7.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供一基板，在所述基板上制备阳极；

在所述阳极表面制备量子点发光层；

在所述量子点发光层表面制备电子传输层；

在所述电子传输层表面制备阴极，制得量子点发光二极管；

或者，提供一基板，在所述基板上制备阴极；

在所述阴极表面制备电子传输层；

在所述电子传输层表面制备量子点发光层；

在所述量子点发光层表面制备阳极，制得所述量子点发光二极管；

其中，所述电子传输层材料为权利要求1所述的复合材料。

8.根据权利要求7所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在量子点发光层上制备电子传输层的步骤包括：在所述量子点发光层上沉积所述复合材料并进行退火处理，制得电子传输层；或者，所述在阴极表面制备电子传输层的步骤包括：在所述阴极表面沉积所述复合材料并进行退火处理，制得电子传输层。