[发明专利]一种薄膜及其制备方法与量子点发光二极管

说明书

本发明公开一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述复合材料包括氧化钛以及配位结合在所述氧化钛表面的乙酰丙酮钇。本发明通过选用具有共轭性能的乙酰丙酮钇对氧化钛进行表面改性，使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面制得所述电子迁移率高的复合材料；当采用所述复合材料作为量子点发光二极管的电子传输层时，不仅可提高电子传输层的电子传输效率，还能提高电子注入量子点发光层的能力，促进电子‑空穴有效地复合，降低激子积累对量子点发光二极管的性能影响，从而提升量子点发光二极管的发光效率。

技术领域

本发明涉及量子点发光二极管领域，尤其涉及一种薄膜及其制备方法与量子点发光二极管。

背景技术

TiO₂是一种广泛应用的多功能材料，具有3.2 eV的宽禁带，它有着独特的光学、电学及物理性质，以及优良的化学稳定性，能够抵抗介质的电化学腐蚀，己被广泛应用于涂料、化妆品、半导体、传感器、介电材料、催化剂等领域。TiO₂是一种重要的宽禁带间接带隙半导体材料，被广泛地用作太阳能电池等光化学以及光电子器件的功能材料。

另一方面，氧化钛（TiO₂）作为一种更加廉价并且稳定的金属氧化物，在电极材料、气敏材料及超级电容器等领域也被广泛应用，在工业中也可以低成本和大面积制备。TiO₂与ZnO性质类似，有相似的光电性能，却有比ZnO更高的电子迁移率，其也可以作为电子传输材料，但是在QLED中确鲜有报道。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有金属氧化物电子迁移率较低，导致以所述金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管发光效率较差的问题。

本发明的技术方案如下：

一种复合材料，其中，包括氧化钛以及配位结合在所述氧化钛表面的乙酰丙酮钇。

一种复合材料的制备方法，其中，包括步骤：

提供氧化钛和乙酰丙酮钇；

将所述乙酰丙酮钇和氧化钛加入有机溶剂中，混合使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面，制得所述复合材料。

一种量子点发光二极管，包括阴极和阳极，设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层以及设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其中，所述电子传输层材料为由乙酰丙酮钇配位结合在氧化钛表面形成的复合材料。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供一基板，在所述基板上制备阳极；

在所述阳极表面制备量子点发光层；

在所述量子点发光层表面制备电子传输层；

在所述电子传输层表面制备阴极，制得量子点发光二极管；

或者，提供一基板，在所述基板上制备阴极；

在所述阴极表面制备电子传输层；

在所述电子传输层表面制备量子点发光层；

在所述量子点发光层表面制备阳极，制得所述量子点发光二极管；

其中，所述电子传输层材料为由乙酰丙酮钇配位结合在氧化钛表面形成的复合材料。