[发明专利]一种用于处理多晶硅副产高沸物的装置和方法在审
| 申请号： | 201811630843.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN111377450A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 付绪光;李力;刘逸枫;沈峰;陈其国 | 申请（专利权）人： | 江苏中能硅业科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 处理 多晶 硅副产高沸物 装置 方法 | ||
1.本发明公开一种处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于包括原料无水氯化氢从气液固流化床反应器底部通过气体分布器进入，多晶硅副产物从气液固流化床反应器底部进入，催化剂被设置在气液固流化床反应器底部和上部的挡板限制在反应器内，反应生成的单硅烷、未完全反应的无水氯化氢和高沸物一起从气液固流化床反应器顶部流出进一步分离。
2.根据权利要求1所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，筒体带有蒸汽夹套保温或蒸汽管道伴热保温。
3.根据权利要求2所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，保温的温度在30-160℃。
4.根据权利要求1所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，采用的催化剂为胺基树脂催化剂。
5.根据权利要求1所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，反应器内上部和下部各有一个催化剂挡板。
6.根据权利要求1所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，胺基树脂催化剂添加口是向下倾斜的。
7.根据权利要求4所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，催化剂挡板的孔径为催化剂颗粒直径的1/3-4/5。
8.根据权利要求4所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，上部催化剂挡板位置高于催化剂装填口的上部3-30mm。
9.根据权利要求4所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于，下部催化剂挡板位置低于催化剂卸出口的下部0-10mm。
10.根据权利要求4所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于上部催化剂挡板高度为反应器高度的60%-98%，
根据权利要求4所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于下部催化剂挡板高度为反应器高度的2%-15%。
11.根据权利要求1所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于高沸裂解反应温度在30-160℃。
12.根据权利要求1所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于高沸裂解反应压力在0.05-1.6MPa。
13.根据权利要求1所述的处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，其特征在于通入的无水氯化氢进入反应装置通过气体分布器进行分布。
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