[发明专利]一种信号生成电路

权利要求书

1.一种信号生成电路，其特征在于，所述电路包括：基础电压单元、第一电阻和控制单元，其中：

所述基础电压单元的第一端与电源连接，所述基础电压单元的第二端与所述控制单元的第一端连接，所述基础电压单元的第三端与所述第一电阻的一端连接，所述基础电压单元的第四端与所述控制单元的第二端连接；

所述控制单元的第三端与所述电源连接，所述控制单元的第四端接地；

所述第一电阻的另一端和所述基础电压单元的第四端接地；

其中：

所述控制单元包括：第一电流镜像子单元和反馈生成子单元；所述基础电压单元包括：电压产生子单元、第二电流镜像子单元和电压调节子单元；其中，所述反馈生成子单元与所述电压调节子单元、所述电压产生子单元、所述第一电流镜像子单元均连接，所述电压调节子单元与所述电压产生子单元、所述第二电流镜像子单元均连接；所述电压产生子单元包括三极管结构；所述电压调节子单元与所述反馈生成子单元均包括MOS管结构；

所述控制单元，用于控制基于所述基础电压单元产生的电压而生成的电流随环境温度呈线性变化。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，

所述第一电流镜像子单元的第一端与所述电源连接，所述第一电流镜像子单元的第二端与所述反馈生成子单元的第一端连接，所述第一电流镜像子单元的第三端接地；

所述反馈生成子单元的第二端与所述基础电压单元的第二端连接，所述反馈生成子单元的第三端与所述基础电压单元的第四端连接。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一电流镜像子单元包括：第一MOS管和第二MOS管，其中：

所述第一MOS管的第一极与所述反馈生成子单元的一端连接，所述第一MOS管的第二极与所述电源连接，所述第一MOS管的第三极与所述第二MOS管的第三极连接；其中，所述第一MOS管的第一极与所述第一MOS管的第三极连接在一起；

所述第二MOS管的第一极接地，所述第二MOS管的第二极与所述电源连接。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述反馈生成子单元包括：第三MOS管，其中：

所述第三MOS管的第一极与所述第一MOS管的第一极连接，所述第三MOS管的第二极与所述基础电压单元的第二端连接，所述第三MOS管的第三极与所述基础电压单元的第四端连接。

5.根据权利要求3或4所述的电路，其特征在于，所述第一MOS管与所述第二MOS管的尺寸之间具有特定比例关系。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第一MOS管与所述第二MOS管的尺寸比为2:1。

7.根据权利要求3或4所述的电路，其特征在于，所述第一MOS管与所述第二MOS管的类型相同。

8.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：第二电阻，其中：

所述第二电阻的一端与所述第二MOS管的第一极连接，所述第二电阻的一端还与所述基础电压单元的第五端连接；

所述第二电阻的另一端接地。

9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，

所述电压产生子单元的一端与所述第一电阻的一端连接，所述电压产生子单元的第二端与所述电压调节子单元的第一端连接，所述电压产生子单元的第三端与所述第三MOS管的第二极连接；

所述电压调节子单元的第二端与所述第三MOS管的第三极连接，所述电压调节子单元的第三端与所述第二电流镜像子单元的第一端连接；

所述第二电流镜像子单元的第二端与所述电源连接，所述第二电流镜像子单元的第三端与所述第三MOS管的第三极连接。

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，所述电压产生子单元包括：第一三极管和第二三极管，所述电压调节子单元包括：第四MOS管和第五MOS管，所述第二电流镜像子单元包括：第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管，其中：

所述第一三极管的第一极与第四MOS管的第二极连接，所述第一三极管的第二极与所述第一电阻的一端连接，所述第一三极管的第三极与所述第二三极管的第三极连接；

所述第二三极管的第一极第五MOS管的第二极连接，所述第二三极管的第二极接地，所述第二三极管的第三极与第三MOS管的第二极连接；

所述第四MOS管的第一极与所述第六MOS管的第一极连接，所述第四MOS管的第三极与第五MOS管的第三极连接；

所述第五MOS管的第一极与所述第七MOS管的第一极连接，所述第五MOS管的第三极与所述第三MOS管的第三极连接；其中，所述第五MOS管的第一极与所述第五MOS管的第三极连接在一起；

第六MOS管的第二极与电源连接，所述第六MOS管的第三极与第七MOS管的第三极连接；其中，所述第六MOS管的第一极与所述第六MOS管的第三极连接在一起；

所述第七MOS管的第二极与电源连接，所述第七MOS管的第三极与第八MOS管的第三极连接；

所述第八MOS管的第一极与所述第二电阻的一端连接，所述第八MOS管的第二极与电源连接。