[发明专利]一种信号生成电路有效

专利信息
申请号: 201811630941.8 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109743047B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 苗林 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H03K17/14 分类号: H03K17/14
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 高洁;张颖玲
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 信号 生成 电路
【说明书】:

发明实施例公开了一种信号生成电路,所述电路包括:基础电压单元、第一电阻和控制单元,其中:所述基础电压单元的第一端与电源连接,所述基础电压单元的第二端与所述控制单元的第一端连接,所述基础电压单元的第三端与所述第一电阻的一端连接,所述基础电压单元的第四端与所述控制单元的第二端连接;所述控制单元的第三端与所述电源连接,所述控制单元的第四端接地;所述第一电阻的另一端和所述基础电压单元的第四端接地;所述控制单元,用于控制基于所述基础电压单元产生的电压而生成的电流随环境温度呈线性变化。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种信号生成电路。

背景技术

与绝对温度成正比(proportional to absolute temperature,PTAT)电流源由于其独特的温度特性,经常以子电路的形式被用于集成电路设计领域。例如:作为温度传感器的核心单元:由于其输出电流与绝对温度成正比,因此可以通过某种机制,测量PTAT电流源输出电流大小,从而反映当前的环境温度。

目前,相关技术中PTAT电流源的结构中不使用运算放大器来形成环路的这种设计已经被广泛应用。但是,这种设计的PTAT电流源结构中三极管的放大系数存在限制并且影响温度系数,进而导致PTAT的线性受到影响。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例期望提供一种信号生成电路,避免了对温度系数的影响,从而提高了PTAT电流源结构的输出的电压与环境温度之间的线性度。

为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:

一种信号生成电路,所述电路包括:基础电压单元、第一电阻和控制单元;其中:

所述基础电压单元的第一端与电源连接,所述基础电压单元的第二端与所述控制单元的第一端连接,所述基础电压单元的第三端与所述第一电阻的一端连接,所述基础电压单元的第四端与所述控制单元的第二端连接;

所述控制单元的第三端与所述电源连接,所述控制单元的第四端接地;

所述第一电阻的另一端和所述基础电压单元的第四端接地;

所述控制单元,用于控制基于所述基础电压单元产生的电压而生成的电流随环境温度呈线性变化。

上述方案中,所述控制单元包括:第一电流镜像子单元和反馈生成子单元,其中:

所述第一子电流镜像子单元的第一端与电源连接,所述第一子电流镜像子单元的第二端与所述反馈生成子单元的第一端连接,所述第一电流镜像子单元的第三端接地;

所述反馈生成子单元的第二端与所述基础电压单元的第二端连接,所述反馈生成子单元的第三端与所述基础电压单元的第四端连接。

上述方案中,所述第一电流镜像子单元包括:第一MOS管和第二MOS管,其中:

所述第一MOS管的第一极与所述反馈生成子单元的一端连接,所述第一MOS管的第二极与所述电源连接,所述第一MOS管的第三极与所述第二MOS管的第三极连接;其中,所述第一MOS管的第一极与所述第一MOS管的第三极连接在一起;

所述第二MOS管的第一极接地,所述第二MOS管的第二极与所述电源连接。

上述方案中,所述反馈生成子单元包括:第三MOS管,其中:

所述第三MOS管的第一极与所述第一MOS管的第一极连接,所述第三MOS管的第二极与所述基础电压单元的第二端连接,所述第三MOS管的第三极与所述基础电压单元的第四端连接。

上述方案中,所述第一MOS管与所述第二MOS管的尺寸之间具有特定比例关系。

上述方案中,所述第一MOS管与所述第二MOS管的尺寸比为2:1。

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