[发明专利]一种改善晶圆翘曲的方法、装置和设备

权利要求书

1.一种改善晶圆翘曲的方法，其特征在于，所述方法包括：

如果所述晶圆发生翘曲，确定所述晶圆上的每一曲面的形状；

根据所述每一曲面的形状，确定所述每一曲面的应力类型；其中，所述应力类型包括拉应力和压应力；

根据所述每一曲面的所述应力类型，确定所述晶圆上的每一待改善区域；

当所述曲面的应力类型为所述拉应力时，从所述晶圆的背面对所述曲面对应的待改善区域进行N型离子注入，以产生与所述待改善区域的翘曲相对应的应力，其中，所述N型离子为注入半导体材料后，使半导体材料成为N型半导体的杂质离子；

当所述曲面的应力类型为所述压应力时，从所述晶圆的背面对所述曲面对应的待改善区域进行P型离子注入，以产生与所述待改善区域的翘曲相对应的应力；其中，所述P型离子为注入半导体材料后，使半导体材料成为P型半导体的杂质离子。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当所述曲面的应力类型为拉应力时，从所述晶圆的背面对所述曲面对应的待改善区域进行N型离子注入，包括：

当所述曲面的应力类型为拉应力时，确定与所述待改善区域的图形相对应的第一掩膜；其中，所述第一掩膜为带图案的硅片、氮氧化硅片或金属薄片；所述第一掩膜的图案与所述待改善区域的形状大小相同；

使用所述第一掩膜遮盖所述晶圆的背面；

从所述晶圆的背面对裸露的所述待改善区域进行所述N型离子注入。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当所述曲面的应力类型为压应力时，从所述晶圆的背面对所述曲面对应的待改善区域进行P型离子注入，包括：

当所述曲面的应力类型为压应力时，确定与所述待改善区域的图形相对应的第二掩膜；其中，所述第二掩膜为带图案的硅片、氮氧化硅片或金属薄片；所述第二掩膜的图案与所述待改善区域的形状大小相同；

使用所述第二掩膜遮盖所述晶圆的背面；

从所述晶圆的背面对裸露的所述待改善区域进行所述P型离子注入。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述曲面的形状，确定晶圆的待改善区域，包括：

根据所述每一曲面的形状，确定每一曲面的应力类型和翘曲程度；

将所述翘曲程度划分等级，确定所述每一曲面的翘曲等级；

根据所述每一曲面的所述应力类型和所述翘曲等级，确定晶圆上的每一待改善区域。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述每一曲面的所述应力类型和所述翘曲等级，确定晶圆上的每一待改善区域，包括：

分别将所述应力类型相同且翘曲等级相同的曲面确定为同一待改善区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述从所述晶圆的背面对所述待改善区域进行离子注入，包括：

根据每一所述待改善区域的应力类型，确定要注入的离子类型；其中，离子类型包括N型离子和P型离子；

根据每一所述待改善区域的翘曲等级，确定注入剂量和注入能量；

根据所述注入剂量和注入能量，依次对每一所述待改善区域进行相应离子类型的离子注入。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述注入剂量和注入能量，依次对每一所述待改善区域进行相应离子类型的离子注入，包括：

使用与每一待改善区域的图形相对应的掩膜遮盖所述晶圆的背面；

从所述晶圆的背面分别对裸露的每一所述待改善区域，根据所述注入剂量和注入能量，进行相应离子类型的离子注入。

8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

检测晶圆的翘曲度；

当所述翘曲度不符合预设条件时，重复上述方法，再检测晶圆的翘曲度，直到所述晶圆翘曲度符合预设条件。