[发明专利]一种改善晶圆翘曲的方法、装置和设备

说明书

本申请实施例公开了一种改善晶圆翘曲的方法、装置和设备，该方法包括，如果晶圆发生翘曲，确定所述晶圆上的每一曲面的形状；根据所述每一曲面的形状，确定所述晶圆的待改善区域；从所述晶圆的背面对所述待改善区域进行离子注入，产生与所述待改善区域的翘曲相对应的应力。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造技术，涉及但不限于一种改善晶圆翘曲的方法、装置和设备。

背景技术

晶圆是指半导体集成电路制作中所使用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可以加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。在半导体集成电路的制作过程中，晶圆会由于受热等原因产生翘曲，翘曲的程度较大时会对后续制程造成不良影响，降低生产良率。翘曲是指晶圆在加工过程中，由于受热等原因造成的不均匀收缩，而发生变形的现象。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种改善晶圆翘曲的方法及装置，所述方法包括：

如果所述晶圆发生翘曲，确定所述晶圆上的每一曲面的形状；

根据所述每一曲面的形状，确定所述晶圆的待改善区域；

从所述晶圆的背面对所述待改善区域进行离子注入，产生与所述待改善区域的翘曲相对应的应力。

所述装置包括：

检测部件，配置为如果所述晶圆发生翘曲，确定所述晶圆上的每一曲面的形状；

运算部件，配置为根据所述每一曲面的形状，确定所述晶圆的待改善区域；

离子注入部件，配置为从所述晶圆的背面对所述待改善区域进行离子注入，产生与所述待改善区域的翘曲相对应的应力。

本申请实施例还提供一种改善晶圆翘曲的设备，所述设备包括：存储器、处理器和操作部件，所述存储器存储有可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序控制所述操作部件实现上述改善晶圆翘曲的方法。

通过本申请实施例的技术方案，从晶圆的背面对发生翘曲的待改善区域进行离子注入，使待改善区域产生与翘曲相对应的应力，从而改善晶圆的翘曲。在晶圆发生复杂的翘曲情况时，也能够有针对性地进行改善，达到较好的改善效果。

附图说明

图1为本申请实施例的一种改善晶圆翘曲的方法流程示意图；

图2为本申请实施例的另一种改善晶圆翘曲的方法流程示意图；

图3A为本申请实施例的改善晶圆翘曲的原理示意图；

图3B为本申请实施例的另一情况下改善晶圆翘曲的原理示意图；

图3C为本申请实施例的又一情况下改善晶圆翘曲的原理示意图；

图4为本申请实施例中的晶圆示意图；

图5为本申请实施例中晶圆翘曲情况的示意图；

图6为本申请实施例中离子注入过程的原理示意图；

图7为本申请实施例的一种改善晶圆翘曲的装置的组成结构示意图。

具体实施方式

3D NAND(三维计算机闪存设备)晶圆器件的制造工艺工程中晶圆会产生翘曲，并有可能形成十分复杂的非对称多阶曲面，影响后续器件工艺，如光刻对准、键合等。