[发明专利]一种MOL工艺中晶体管引脚提取和绕线的方法

权利要求书

1.一种MOL工艺中晶体管引脚提取和绕线的方法，其特征在于，具体包括下述步骤：

步骤(1)：读入原始版图文件，并获取所有待测器件的位置坐标和类型；

步骤(2)：取原始版图文件，并确定至少一个待测器件作为目标器件；

步骤(3)：识别出每个目标器件已有的将源极、漏极或者栅极连接至第一层金属层M0的通孔，并获取上述通孔的位置信息存储作为该目标器件的原始通孔位置；

步骤(4)：对目标器件的版图进行处理：

删除所有待测器件已有的将源极、漏极或者栅极连接至M0的通孔，以及目标器件的M0上所有已有的绝缘层；

步骤(5)：查找每个目标器件中所有能将源极、漏极或者栅极连接至M0的位置，得到每个目标器件的通孔位置列表；

步骤(6)：分别取每个目标器件的通孔位置列表，从通孔位置列表的元素中筛选符合该目标器件通孔布局条件的通孔位置：

若未筛选到所需数量的通孔位置，则修改目标器件的版图环境：在目标器件的M0上添加一个绝缘层，并保证该绝缘层的位置不属于步骤(3)中获取的原始通孔位置；然后至步骤(5)重复执行；

筛选结束后，得到每个目标器件所需数量的通孔位置，然后继续执行步骤(7)；

步骤(7)：在筛选出来的通孔位置，分别进行相应的通孔布局和布线，完成所有目标器件的晶体管引脚提取和绕线；

步骤(8)：判断是否还有待测器件未进行晶体管引脚提取和绕线，若是，则至步骤(2)继续执行，否则即说明已完成所有待测器件的晶体管引脚提取和绕线。

2.根据权利要求1所述的一种MOL工艺中晶体管引脚提取和绕线的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，识别出栅极覆盖的有源区的中心点，作为该待测器件栅极的位置，即该待测器件的位置坐标。

3.根据权利要求1所述的一种MOL工艺中晶体管引脚提取和绕线的方法，其特征在于，所述步骤(4)对目标器件的版图处理中，还包括添加绝缘层，以消除电源和其他器件对目标器件的影响，具体方法如下：

对于目标器件与电源线的相连区域，在目标器件的MD上添加绝缘层，以保证目标器件对电源隔离；

对于目标器件与周边器件的相连区域，在目标器件的M0上添加绝缘层，以避免周边器件对目标器件的测量产生影响；

判断目标器件和相邻的互补器件之间的是否形成回路，若形成回路，则在目标器件的MD上添加与互补器件的绝缘层，以切断目标器件和相邻的互补器件之间的连接关系。

4.根据权利要求1所述的一种MOL工艺中晶体管引脚提取和绕线的方法，其特征在于，所述步骤(5)中，通孔位置列表中的元素，按照优先级原则从高到低排列；

所述优先级原则包括：若该通孔位置属于步骤(3)中获取的该目标器件的原始通孔位置，则该通孔位置优先级最高；距离目标器件越近的通孔位置优先级越高；能将源/漏极连接至M0的位置优先级高于能将栅极连接至M0的位置优先级。