[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管的制备方法，所述量子点发光二极管包括底电极和顶电极，设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层背离所述底电极一侧表面的功能层，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

提供设置有底电极的基板，在所述设置有底电极的基板上制备所述量子点发光层；

在所述量子点发光层表面沉积第一化合物溶液后，进行光照处理，使得第一化合物光解为离子，以减小所述量子点发光层和所述功能层之间的接触角。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一化合物选自二苯基碘鎓类化合物和1,2,3,4-噻三唑-5-巯基盐类化合物中的一种或多种。

3.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述二苯基碘鎓类化合物选自(Ph₂I)₄Sn₂S₆、(Ph₂I)₂CdCl₄和(Ph₂I)₂MoO₄中的至少一种；和/或

所述1,2,3,4-噻三唑-5-巯基盐类化合物选自NH₄CS₂N₃、NaCS₂N₃和LiCS₂N₃中的至少一种。

4.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，将所述第一化合物溶液中的溶剂选自直链碳原子数小于20的硫醇、直链碳原子数小于20的烯烃、直链碳原子数小于20的醇类及其衍生物和碳原子数小于20的有机酯中的一种或几种的组合。

5.如权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述直链碳原子数小于20的硫醇选自丁硫醇、戊硫醇、庚硫醇、辛硫醇和十八硫醇中的一种或多种；

所述直链碳原子数小于20的烯烃选自己烯、4-辛烯、5-癸烯和5-甲基-5-癸烯和十八烯中的一种或多种；

所述直链碳原子数小于20的醇类及其衍生物选自甲氧基乙醇、乙氧基乙醇和苯氧基乙醇中的一种或多种；

所述碳原子数小于20的有机酯选自丙烯酸甲酯、乙酸丁酯和苯甲酸甲酯中的一种或多种。

6.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，以所述第一化合物溶液的总重量为100%计，所述第一化合物的质量百分含量为2-8%。

7.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述底电极为阳极，采用溶液法在所述设置有底电极的基板上制备量子点发光层，在所述量子点发光层表面沉积第一化合物溶液后，进行光照处理后，在经光照处理后的量子点发光层表面，采用溶液法制备电子传输层，所述量子点发光层表面覆盖有一层离子。

8.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述光照处理应用的光源选自发射光波长为100-400nm的紫外光和/或发射光波长为400-500nm的可见光；和/或，

所述光照处理应用光源的照度为2000 lx - 10000 lx；和/或，

所述光照处理的时间为10分钟-60分钟。

9.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述功能层为电子功能层或空穴功能层。