[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供设置有底电极的基板，在所基板上制备量子点发光层；在所述量子点发光层表面沉积第一化合物溶液后，进行光照处理，其中，所述第一化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点(quantum dots)，又称半导体纳米晶，其三维尺寸均在纳米范围内(1-100nm)，是一种介于体相材料和分子间的纳米颗粒论。量子点具有量子产率高、摩尔消光系数大、光稳定性好、窄半峰宽、宽激发光谱和发射光谱可控等优异的光学性能，非常适合用作发光器件的发光材料。近年来，量子点荧光材料由于其光色纯度高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，广泛被看好用于平板显示领域，成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes QLED)是基于量子点材料作为发光材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。

在溶液法制备QLED器件的过程中，由于各功能层之间的材料差异，不可避免地会导致相邻层之间存在一定的兼容性问题，特别是量子点发光层与相邻的电子传输层(特别是氧化锌层)之间的兼容性问题较为严重。兼容性差的量子点发光层与电子功能层(特别是氧化锌层)容易在界面形成鼓包，影响器件成膜性能，进而影响量子点发光二极管的光效。目前QLED器件为了不影响下层膜层的稳定性，普遍采用极性相差较大的墨水，从而导致这些墨水大多数成膜过程中容易由于表面张力形成界面形变，不利于均匀成膜，器件漏电流大，寿命短；欧姆电阻增高，器件效率低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决享有量子点发光二极管制备过程中采用与量子点墨水极性相差较大的墨水制备功能层，导致成膜过程中容易由于表面张力形成界面形变，影响器件性能(使用寿命和发光效率)的问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供设置有底电极基板，在所述基板上制备量子点发光层；

在所述量子点发光层表面沉积第一化合物溶液后，进行光照处理，其中，所述第一化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。

以及，一种量子点发光二极管，包括：

底电极和顶电极；

设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层；

在所述量子点发光层朝向所述顶电极的表面的覆盖有一层离子。

一种量子点发光二极管，包括：

底电极和顶电极；

设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层；

在所述量子点发光层朝向所述顶电极的表面的覆盖有一层离子；

所述离子是由第一化合物经光照处理后制备得到的，其中，所述第一化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。

本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，在所述量子点发光层表面(朝向所述顶电极)的一侧沉积所述第一化合物溶液后，进行光照处理。第一化合物在光照条件下转化为极性更大的离子，使得在所述离子背离所述底电极的一侧制备其它功能层时，沉积在离子表面的溶液的接触角变小，形成膜层平整的其它功能层，进而提高量子点发光层与其它功能层之间的相容性，提高量子点发光二极管的光效。