[发明专利]量子点发光二极管的后处理方法

说明书

本发明提供了一种量子点发光二极管的后处理方法，包括以下步骤：提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极的功能层，所述功能层至少包括量子点发光层；在所述量子点发光二极管中功能层的材料未完全固化之前，将所述量子点发光二极管浸入有机溶剂中进行超声处理，所述有机溶剂为不溶解量子点的有机溶剂。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管的后处理方法。

背景技术

量子点(quantum dots)，又称半导体纳米晶，其三维尺寸均在纳米范围内(1-100nm)，是一种介于体相材料和分子间的纳米颗粒论。量子点具有量子产率高、摩尔消光系数大、光稳定性好、窄半峰宽、宽激发光谱和发射光谱可控等优异的光学性能，非常适合用作发光器件的发光材料。近年来，量子点荧光材料由于其光色纯度高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，广泛被看好用于平板显示领域，成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes QLED)是基于量子点材料作为发光材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。

不管采用何种方法制备QLED器件，最终得到的QLED器件内部通常会有一些瑕疵，如气泡和材料团聚等，这些气泡或团聚材料会影响器件的外量子效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管的后处理方法，旨在解决制备完成后得到的量子点发光二极管内部存在气泡和材料团聚，影响子点发光二极管的发光效率的问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种量子点发光二极管的后处理方法，包括以下步骤：

提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极的功能层，所述功能层至少包括量子点发光层；

在所述量子点发光二极管中的各功能层材料未完全固化之前，将所述量子点发光二极管浸入有机溶剂中进行超声处理，所述有机溶剂为不溶解量子点的有机溶剂。

本发明提供的量子点发光二极管，在制备完的量子点发光二极管各功能层材料未完全固化之前，将所述量子点发光二极管浸入不溶解量子点的有机溶剂中进行超声处理。通过在有机溶剂中超声处理去除功能层中的气泡，并促进团聚材料的分散，可以减少量子点发光二极管的内部瑕疵，提高量子点发光二极管的器件效率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种量子点发光二极管的后处理方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

如附图1所示，本发明实施例提供了一种量子点发光二极管的后处理方法，包括以下步骤：

S10.提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极的功能层，所述功能层至少包括量子点发光层；

S20.在所述量子点发光二极管中的各功能层材料未完全固化之前，将所述量子点发光二极管浸入有机溶剂中进行超声处理，所述有机溶剂为不溶解量子点的有机溶剂。