[发明专利]修正方法、装置和存储介质

权利要求书

1.一种修正方法，应用于阵列基板，所述阵列基板包括像素层、第一金属层和第二金属层，所述像素层包括多个像素区域，每个所述像素区域包括一个像素电极，每个所述像素电极与所述第一金属层中的信号线连接，所述第二金属层中包括存储电容线，其特征在于，所述修正方法包括：

获取缺陷所在的第一像素区域的位置信息，所述缺陷是由所述存储电容线，以及与所述第一像素区域中的像素电极连接的所述第一金属层中的信号线之间的压差产生的，所述存储电容线与所述第一像素区域中的像素电极形成存储电容；

根据所述位置信息，控制激光熔接器，对所述第一像素区域的存在压差的存储电容线和第一金属层中的信号线进行熔接；

所述第一金属层和所述第二金属层之间存在绝缘层，每个像素区域在绝缘层上预留有通孔；所述位置信息包括所述第一像素区域在所述阵列基板上的坐标和所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的坐标；

所述根据所述位置信息，控制激光熔接器，对所述第一像素区域的存在压差的存储电容线和第一金属层中的信号线进行熔接，包括：

根据所述第一像素区域在所述阵列基板上的坐标，在所述阵列基板上确定所述第一像素区域；

在所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的坐标处，对所述第一像素区域的存在压差的存储电容线和第一金属层中的信号线进行熔接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的坐标包括：所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的中心位置的坐标；

所述对所述第一像素区域的存在压差的存储电容线和第一金属层中的信号线进行熔接，包括：

在所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的中心位置的坐标处，对所述第一像素区域的存在压差的存储电容线和第一金属层中的信号线进行熔接。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在重力方向上，所述第一金属层位于所述第二金属层的上方，所述对所述第一像素区域的存在压差的存储电容线和第一金属层中的信号线进行熔接之前，还包括：

根据所述中心位置的坐标，在所述第二金属层上确定熔接点；

所述对所述第一像素区域的存在压差的存储电容线和第一金属层中的信号线进行熔接，包括：

根据所述中心位置的坐标和所述熔接点，对所述第一像素区域的存在压差的存储电容线和第一金属层中的信号线进行熔接。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述中心位置的坐标，在所述第二金属层上确定熔接点，包括：

在垂向方向上，将所述中心位置的坐标在所述第二金属层上的投影位置，作为所述熔接点。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一像素区域的存在压差的存储电容线和第一金属层中的信号线进行熔接之后，还包括：

获取熔接后的所述阵列基板的第一检测结果，所述第一检测结果用于表征所述熔接后的所述阵列基板仍存在缺陷；

对所述熔接后的所述阵列基板中的缺陷进行再次熔接，直至获取第二检测结果，所述第二检测结果用于表征所述熔接后的所述阵列基板不存在缺陷。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述存在压差的存储电容线和第一金属层中的信号线中的第一金属层中的信号线为：漏极线或源极线。

7.一种修正装置，其特征在于，包括：至少一个处理器和存储器；

所述存储器存储计算机执行指令；

所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述修正装置执行权利要求1-6任一项所述的方法。

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机执行指令，当所述计算机执行指令被处理器执行时，实现权利要求1-6任一项所述的方法。

9.一种修正系统，其特征在于，包括：修正装置、检测装置和处理装置；所述处理装置分别和所述修正装置、所述检测装置连接；

所述检测装置用于检测获取阵列基板中的缺陷，以及所述缺陷所在的第一像素区域的位置信息，并将所述位置信息发送至处理装置；所述位置信息包括：所述第一像素区域在所述阵列基板上的坐标和所述第一像素区域的通孔在阵列基板上的坐标，所述阵列基板包括像素层、第一金属层和第二金属层，所述像素层包括多个像素区域，每个所述像素区域包括一个像素电极，每个所述像素电极与所述第一金属层中的信号线连接，所述第二金属层中包括存储电容线，所述缺陷是由所述存储电容线，以及与所述第一像素区域中的像素电极连接的所述第一金属层中的信号线之间的压差产生的，所述存储电容线与所述第一像素区域中的像素电极形成存储电容；

所述处理装置，用于根据位置信息，获取所述第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心坐标，并将所述位置信息发送至所述修正装置，所述位置信息中包括所述第一像素区域的通孔在阵列基板上的中心坐标；

所述修正装置用于获取所述位置信息，并根据所述位置信息，控制激光熔接器，对所述第一像素区域的存在压差的存储电容线和第一金属层中的信号线进行熔接；

所述第一金属层和所述第二金属层之间存在绝缘层，每个像素区域在绝缘层上预留有通孔；所述位置信息包括所述第一像素区域在所述阵列基板上的坐标和所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的坐标；

所述修正装置，具体用于根据所述第一像素区域在所述阵列基板上的坐标，在所述阵列基板上确定所述第一像素区域；在所述第一像素区域的通孔在所述阵列基板上的坐标处，对所述第一像素区域的存在压差的存储电容线和第一金属层中的信号线进行熔接。