[发明专利]多频天线及抑制共模谐振的低频辐射单元

权利要求书

1.一种抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，包括：

巴伦固定座与四个半波振子结构，所述半波振子结构与所述巴伦固定座相连，四个所述半波振子结构绕所述巴伦固定座的中心设置，相邻两个所述半波振子结构的辐射臂之间设有间隙；

抑制元件，所述抑制元件的其中一侧面为第一金属面，所述抑制元件的另一侧面为第二金属面，所述第一金属面分别贴合在相邻两个所述半波振子结构的辐射臂上，且所述第一金属面与所述辐射臂之间绝缘配合，所述第一金属面上印制有信号耦合电路，所述第二金属面上印制有微带线滤波电路，所述抑制元件上设有金属化孔，所述信号耦合电路与所述微带线滤波电路通过所述金属化孔电性连接。

2.根据权利要求1所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述第一金属面上涂覆有绝缘层；或者所述第一金属面与所述辐射臂之间设有绝缘薄膜。

3.根据权利要求1所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述抑制元件为金属片或两侧面均设有金属层的介质板。

4.根据权利要求3所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述抑制元件呈矩形状，所述抑制元件的长度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍，所述抑制元件的宽度为高频中心频点波长的0.125倍～0.25倍。

5.根据权利要求1所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述抑制元件呈矩形状，所述抑制元件的长度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍，所述抑制元件的宽度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍。

6.根据权利要求1所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述信号耦合电路关于相邻所述辐射臂之间的间隙中心对称设置。

7.根据权利要求1所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述信号耦合电路包括第一导电层与第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层间隔设置，所述第一导电层与所述第二导电层均设有所述金属化孔，所述第一导电层与所述第二导电层之间的间隔不大于相邻所述辐射臂之间的间隙。

8.根据权利要求7所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述抑制元件上设有安装孔，所述抑制元件通过安装件穿过所述安装孔装设在所述辐射臂上。

9.一种多频天线，其特征在于，包括如权利要求1至8任意一项所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，还包括反射板，所述低频辐射单元装设在所述反射板上。

10.根据权利要求9所述的多频天线，其特征在于，还包括设置在所述反射板上的若干个高频辐射单元，所述低频辐射单元为多个，多个所述低频辐射单元依次间隔设置；若干个所述高频辐射单元依次间隔设置，相邻两个所述高频辐射单元中，其中一个所述高频辐射单元嵌套设置在所述低频辐射单元中，另一个所述高频辐射单元位于相邻两个所述低频辐射单元之间。

11.根据权利要求9所述的多频天线，其特征在于，还包括设置在所述反射板上的若干个超宽频辐射单元，所述低频辐射单元为多个，多个所述低频辐射单元依次间隔设置；若干个所述超宽频辐射单元依次间隔设置，所述超宽频辐射单元与所述低频辐射单元相邻设置。

12.根据权利要求9所述的多频天线，其特征在于，还包括设置在所述反射板上的若干个第一高频辐射单元与若干个超宽频辐射单元；所述低频辐射单元包括多个第一低频辐射单元，多个所述第一低频辐射单元依次间隔设置；若干个所述第一高频辐射单元依次间隔设置，相邻两个所述第一高频辐射单元中，其中一个所述第一高频辐射单元嵌套设置在所述第一低频辐射单元中，另一个所述第一高频辐射单元位于相邻两个所述第一低频辐射单元之间；若干个所述超宽频辐射单元依次间隔设置，所述超宽频辐射单元与所述第一高频辐射单元一一对应设置。