[发明专利]多频天线及抑制共模谐振的低频辐射单元

说明书

本发明涉及一种多频天线及抑制共模谐振的低频辐射单元，低频辐射单元包括巴伦固定座、四个半波振子结构及抑制元件。抑制元件的其中一侧面为第一金属面，另一侧面为第二金属面。第一金属面分别贴合在相邻两个辐射臂上，且第一金属面与辐射臂之间绝缘配合。上述的抑制共模谐振的低频辐射单元，设置于多频天线中时，对于超宽频通信频段和高频通信频段的射频信号来讲，低频辐射单元的相邻辐射臂相当于直接等效为全金属封闭，从物理结构上破坏了低频辐射单元的振子上的高次模寄生耦合谐振分量的半波振子电磁谐振结构。如此，能抑制共模谐振，减少低频辐射单元上邻近的不同极化振子臂低频信号电磁能量的耦合，提高低频辐射单元的极化隔离度。

技术领域

本发明涉及天线通信技术领域，特别是涉及一种多频天线及抑制共模谐振的低频辐射单元。

背景技术

随着移动通信网络制式的增多，要求基站天线能支持多种通信制式，为了节省站址和天馈资源，能够支持多系统通信的多频天线逐渐成为运营商建网的首选。多频天线对小型化提出了越来越严格的要求，不同频段的辐射单元需要紧密排布才能缩小多频天线的尺寸，但是紧密排布的时候，导致工作在不同频段的辐射单元之间出现很强的电磁场耦合，特别是不同频段的辐射单元耦合寄生的多倍频高次模式直接影响了原来辐射单元工作频段的正常工作，如此会引起不同阵列系统之间强烈的耦合干扰，导致不同阵列系统之间的隔离度变差。

发明内容

基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种多频天线及抑制共模谐振的低频辐射单元，它能够避免引起不同阵列系统之间强烈的耦合干扰，同时高频通信系统与低频通信系统隔离特性较好。

其技术方案如下：一种抑制共模谐振的低频辐射单元，包括：巴伦固定座与四个半波振子结构，所述半波振子结构与所述巴伦固定座相连，四个所述半波振子结构绕所述巴伦固定座的中心设置，相邻两个所述半波振子结构的辐射臂之间设有间隙；抑制元件，所述抑制元件的其中一侧面为第一金属面，所述抑制元件的另一侧面为第二金属面，所述第一金属面分别贴合在相邻两个所述半波振子结构的辐射臂上，且所述第一金属面与所述辐射臂之间绝缘配合。

上述的抑制共模谐振的低频辐射单元，由于相邻两个所述半波振子结构的辐射臂上设置有抑制元件，当设置于多频天线中时，对于超宽频通信频段和高频通信频段的射频信号来讲，低频辐射单元的相邻辐射臂相当于直接等效为全金属封闭，从物理结构上破坏了低频辐射单元的振子上的高次模寄生耦合谐振分量的半波振子电磁谐振结构。如此，不会再发生共模谐振，同时抑制元件能够抑制低频频段信号的传输，减少低频辐射单元上邻近的不同极化振子臂低频信号电磁能量的耦合，提高低频辐射单元的极化隔离度。

在其中一个实施例中，所述第一金属面上涂覆有绝缘层；或者所述第一金属面与所述辐射臂之间设有绝缘薄膜。

在其中一个实施例中，所述抑制元件为金属片或两侧面均设有金属层的介质板。

在其中一个实施例中，所述抑制元件呈矩形状，所述抑制元件的长度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍，所述抑制元件的宽度为高频中心频点波长的0.125倍～0.25倍。

在其中一个实施例中，所述第一金属面上印制有信号耦合电路，所述第二金属面上印制有微带线滤波电路，所述抑制元件上设有金属化孔，所述信号耦合电路与所述微带线滤波电路通过所述金属化孔电性连接。

在其中一个实施例中，所述抑制元件呈矩形状，所述抑制元件的长度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍，所述抑制元件的宽度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍。

在其中一个实施例中，所述信号耦合电路关于相邻所述辐射臂之间的间隙中心对称设置。

在其中一个实施例中，所述信号耦合电路包括第一导电层与第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层间隔设置，所述第一导电层与所述第二导电层均设有所述金属化孔，所述第一导电层与所述第二导电层之间的间隔不大于相邻所述辐射臂之间的间隙。