[发明专利]一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法

权利要求书

1.一种太阳电池中多晶硅膜层的钝化方法，包括以下步骤：

A)在多晶硅膜层的表面沉积一层掩膜，然后在所述掩膜的表面复合一层指栅线图形的有机蜡，得到预处理的多晶硅膜层；

B)将预处理的多晶硅膜层先浸入第一HF溶液中，蚀刻没有有机蜡保护区域的掩膜，再使用碱溶液将有机蜡清洗除去；

C)将除去有机蜡的多晶硅膜层浸入制绒碱液中，蚀刻没有掩膜保护区域的多晶硅，再使用第二HF溶液将掩膜清洗除去，得到具有指栅线图案的多晶硅膜层；

D)将所述具有指栅线图案的多晶硅膜层依次进行钝化、丝网印刷和烧结。

2.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述掩膜为氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜。

3.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述掩膜的厚度为60～160nm。

4.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述有机蜡的指栅线的线宽为100～300μm。

5.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述第一HF溶液的质量浓度为5～50％。

6.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述步骤B)中的碱溶液的质量浓度为0.1～10％。

7.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述步骤B)中的碱溶液包括碱和二乙二醇丁醚；所述碱为KOH和/或NaOH。

8.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述制绒碱液包括KOH和制绒添加剂。

9.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述制绒碱液的质量浓度为1～15％。

10.根据权利要求1所述的钝化方法，其特征在于，所述第二HF溶液的质量浓度为0.1～10％。