[发明专利]预对准系统、预对准方法及光刻设备有效

专利信息
申请号: 201811642976.3 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN111381451B 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 靳力;程建;郑教增 申请(专利权)人: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 王宏婧
地址: 201203 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 对准 系统 方法 光刻 设备
【说明书】:

发明提供了预对准系统、预对准方法及光刻设备中,所述预对准模块用于侦测硅片的位置信息及编码信息,所述图像采集模块用于采集所述硅片的位置信息及硅片的编码信息并传回所述中央处理模块;所述中央处理模块用于根据所述硅片的位置信息发出运动指令,所述运动控制模块根据所述运动指令控制所述预对准模块运动以进行硅片的预对准;所述中央处理模块还用于根据所述硅片的编码信息进行所述硅片的编码识别。由中央处理模块控制实现硅片的预对准和编码识别,不必再由其它设备协调,从而既节约了硅片的预对准和编码识别的时间,又使预对准系统具有较强的功能性,在后续生产过程中不需要再额外增加硅片编码识别的设备,减少了设备的成本。

技术领域

本发明涉及半导体领域,特别涉及一种预对准系统、预对准方法以及包含所述预对准系统的光刻设备。

背景技术

光刻(photolithography)工艺是半导体器件制造过程中的重要步骤,其一般包括旋涂光刻胶、曝光、显影等工序。通常,在基底(例如是硅片、玻璃基板等)上旋涂光刻胶后,利用曝光和显影工艺将光掩模上的图形转移到光刻胶上,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到基底上。

预对准系统是光刻设备重要的组成部分,其主要是通过CCD(Charge CoupledDevice,电荷耦合器件)图像传感器进行硅片数据采集,然后计算出位置偏差并进行修正,达到对硅片进行精确定位的目的。具体而言,在曝光工艺中,在将硅片放置在光刻设备上相应的支撑面后,需要利用预对准系统先进行硅片位置的预定位、硅片方向的预定向,预对准之后进行硅片编码(即硅片ID)的识别,以便于后续对批量的硅片进行精确的曝光对准。

现有技术中硅片ID识别是采用商用的条码读取器完成,一般是在预对准系统上增加条码读取器,在完成预对准后将硅片转到一定的角度并升高到识别高度,利用条码读取器识别硅片ID字符,该方法不但增大了设备整体的占用空间,且成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种预对准系统、预对准方法及光刻设备,无需额外设置条码读取器,有利于设备整体占用空间和成本。

为了实现上述目的,本发明提供了一种预对准系统,包括:中央处理模块、运动控制模块、预对准模块以及图像采集模块;所述预对准模块用于侦测硅片的位置信息及编码信息,所述图像采集模块用于采集所述硅片的位置信息及硅片的编码信息并传回所述中央处理模块;所述中央处理模块用于根据所述硅片的位置信息发出运动指令,所述运动控制模块根据所述运动指令控制所述预对准模块运动以进行硅片的预对准;所述中央处理模块还用于根据所述硅片的编码信息进行所述硅片的编码识别。

可选的,在所述预对准系统中,所述预对准模块包括:旋转台、定心台以及光学侦测元件;

所述旋转台用于调整硅片角度以及硅片的垂向位置,以将所述硅片交接到所述定心台上;

所述定心台用于调整所述硅片的水平向位置;

所述光学侦测元件用于侦测所述硅片的位置信息及编码信息,所述图像采集模块采集所述光学侦测元件侦测的信息。

可选的,在所述预对准系统中,所述运动控制模块包括:运动控制卡、多个电机及为多个所述电机配备的多个伺服放大器;

所述中央处理模块通过所述运动控制卡控制多个所述伺服放大器从而控制多个所述电机。

可选的,在所述预对准系统中,多个所述电机包括第一电机、第二电机、第三电机及第四电机,多个所述伺服放大器包括第一伺服放大器、第二伺服放大器、第三伺服放大器及第四伺服放大器;

其中,所述第一电机用于控制所述定心台的水平向位置;所述第二电机用于控制所述旋转台的水平向旋转角度;所述第三电机用于控制所述旋转台的垂向位置;所述第四电机用于控制所述光学侦测元件的水平向位置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备(集团)股份有限公司,未经上海微电子装备(集团)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811642976.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top