[发明专利]对芯片实现电磁屏蔽的封装结构及方法在审

专利信息
申请号: 201811645493.9 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109817589A 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: 姚大平 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/29;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 李博洋
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电磁屏蔽 芯片实现 导电桥 屏蔽 模封 芯片 导电金属结构 封装结构 导电层 封装 电磁屏蔽功能 环境影响 芯片集成 电连接 嵌入式 包覆 侧壁 焊盘 制备 贯通 体内
【说明书】:

发明公开了对芯片实现电磁屏蔽的封装结构及方法,其中所述结构包括:待屏蔽芯片;模封层,包覆待屏蔽芯片的侧壁,并露出待屏蔽芯片的焊盘;至少一个导电桥,导电桥包括至少一个导电金属结构;导电桥贯通模封层,且导电桥中导电金属结构的两端分别在模封层的两侧表面露出;多个导电桥位于待屏蔽芯片的周围;导电层,设置于模封层的一侧,导电层与导电金属结构电连接。本发明方案制备的封装结构能够对芯片实现完全电磁屏蔽,且体积较小,嵌入式屏蔽回路不容易受环境影响而丧失电磁屏蔽功能,不会脱落,可靠性较高。上述对芯片实现电磁屏蔽的封装方法还能够对多个芯片集成中的每一芯片实现单独的电磁屏蔽,避免一个封装体内的芯片之间相互干扰。

技术领域

本发明涉及集成电路先进封装技术领域,具体涉及一种对芯片实现电磁屏蔽的封装结构及方法。

背景技术

在电子器件领域,有很多对电磁干扰较为敏感的集成电路芯片(英文:IntegratedCircuit,简称:IC,本申请中将集成电路芯片简称为芯片),例如射频芯片,尤其是高频射频芯片。这些芯片在工作前必须对其做好电磁屏蔽。

现有技术对芯片进行电磁屏蔽往往是在芯片的封装体外周安置金属外壳,或者通过真空溅射的方法在芯片的封装体外成金属膜。

然而,发明人发现,安装金属外壳的方式增大了芯片封装结构的体积,同时对较小体积的封装结构,安置金属外壳的方法变得比较困难,且会增大封装体的体积。而溅射金属膜方法由于设置在封装体的外部,较容易受到外部环境的影响,厚度太薄,金属膜易于氧化而丧失电磁屏蔽功能,可靠性较差;即使金属膜增厚可以保证电磁屏蔽功能,但是制造成本明显升高;另一方面,如此制备的金属厚膜与封装结构的黏附性较差,在使用的过程中容易发生分层脱落,可靠性较差。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供了对芯片实现电磁屏蔽的封装结构及方法,以解决现有技术中的电磁屏蔽结构可靠性较差、制备成本高、难度大、设置电磁屏蔽后的封装体的体积较大的问题。

根据第一方面,本发明实施例提供了一种对芯片实现电磁屏蔽的封装结构,包括:待屏蔽芯片;模封层,包覆所述待屏蔽芯片的侧壁,并露出所述待屏蔽芯片的焊盘;至少一个导电桥,所述导电桥包括至少一个导电金属结构;所述导电桥贯通所述模封层,且所述导电桥中导电金属结构的两端分别在所述模封层的两侧表面露出;所述多个导电桥位于所述待屏蔽芯片的周围;导电层,设置于所述模封层的一侧,所述导电层与所述导电金属结构电连接。

可选地,所述导电金属结构包括导电金属线和/或导电金属片。

可选地,所述导电桥通过以下方法制作得到:根据需要在无机材质的基板上预定位置打孔,并在所述孔内填充导电金属,根据需要切割所述基板从而得到所述导电桥。

可选地,所述封装结构还包括:重布线层和/或焊球,设置于所述模封层背向所述导电层的表面。

根据第二方面,本发明实施例提供了一种对芯片实现电磁屏蔽的封装方法,包括:在载板的第一表面贴附待屏蔽芯片;在所述载板的第一表面,且在所述待屏蔽芯片周围贴附至少一个导电桥;所述导电桥包括至少一个导电金属结构;在所述载板的第一表面形成模封层,所述模封层包覆所述待屏蔽芯片和所述导电桥的侧壁,并露出所述待屏蔽芯片的焊盘和所述导电桥中导电金属结构的两端;在所述模封层朝向或背向所述载板的一侧设置导电层,所述导电层与所述导电金属结构电连接。

可选地,所述导电桥通过以下方法制作得到:根据需要在无机材质的基板上预定位置打孔,并在所述孔内填充导电金属;根据需要切割所述基板,得到所述导电桥。

可选地,所述在所述模封层朝向或背向所述载板的一侧设置导电层的步骤包括:所述在载板的第一表面贴附待屏蔽芯片的步骤之前,在载板的第一表面设置导电层。

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