[发明专利]一种DTSCR器件

权利要求书

1.一种DTSCR器件，其特征在于，包括：P型衬底，所述P型衬底上从左至右依次设置有预设P+掺杂区、预设N+掺杂区以及多个N阱区，所述多个N阱区中的所有N阱区从左至右依次连接；

所述预设N+掺杂区的部分区域构成预设N阱区；

其中，所述预设P+掺杂区和所述预设N+掺杂区均为源区。

2.根据权利要求1所述的DTSCR器件，其特征在于，所述预设N+掺杂区上设置有第一金属区，所述预设P+掺杂区上设置有第二金属区，所述第一金属区和所述第二金属区均接地。

3.根据权利要求1所述的DTSCR器件，其特征在于，所述多个N阱区中每个N阱区均包括P+掺杂区和N+掺杂区，且所述P+掺杂区位于所述N+掺杂区左侧；

所述多个N阱区中最左侧的P+掺杂区上设置有第三金属区，所述第三金属区与静电输入端连接；

所述多个N阱区中最右侧的N+掺杂区上设置有第四金属区，所述第四金属区接地。

4.根据权利要求3所述的DTSCR器件，其特征在于，所述多个N阱区具体包括第一N阱区、第二N阱区、第三N阱区以及第四N阱区，所述第一N阱区、所述第二N阱区、所述第三N阱区以及所述第四N阱区从左至右依次连接。

5.根据权利要求4所述的DTSCR器件，其特征在于，所述第一N阱区与所述第二N阱区之间通过第一导电区连接，所述第二N阱区与所述第三N阱区之间通过第二导电区连接，所述第三N阱区与所述第四N阱区之间通过第三导电区连接。

6.根据权利要求5所述的DTSCR器件，其特征在于，所述第一N阱区具体包括第一P+掺杂区和第一N+掺杂区，所述第二N阱区具体包括第二P+掺杂区和第二N+掺杂区，所述第三N阱区具体包括第三P+掺杂区和第三N+掺杂区，所述第四N阱区具体包括第四P+掺杂区和第四N+掺杂区；

所述第一导电区分别与所述第一N+掺杂区和所述第二P+掺杂区连接；所述第二导电区分别与所述第二N+掺杂区和所述第三P+掺杂区连接；所述第三导电区分别与所述第三N+掺杂区和所述第四P+掺杂区连接。

7.根据权利要求5所述的DTSCR器件，其特征在于，所述第一导电区、所述第二导电区以及所述第三导电区均为金属导电区。

8.根据权利要求7所述的DTSCR器件，其特征在于，所述金属导电区的导电材料为铜。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的DTSCR器件，其特征在于，所述预设P+掺杂区用于注入P+掺杂，所述预设N+掺杂区用于注入N+掺杂。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的DTSCR器件，其特征在于，所述多个N阱区中的每个N阱区均用于注入N型掺杂。