[发明专利]一种Cu-Se-S体系热电材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811647686.8 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109713115B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 葛振华;唐赟乔;冯晶 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: H01L35/16 分类号: H01L35/16;H01L35/34;B22F3/105;B22F9/24;C22C9/00;C30B1/10;C30B29/46
代理公司: 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 代理人: 李静
地址: 650093 云南*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 cu se 体系 热电 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种Cu-Se-S体系热电材料,其特征在于:该材料中Cu:Se:S的摩尔比为2:(1-x):x,其中0<x<1,该材料由单相Cu-Se-S三元合金通过原位相分离得到的Cu2Se相和Cu2S相组成,Cu2S相弥散分布在Cu2Se相中,Cu2Se相的晶粒尺寸为200-500nm,Cu2S相的尺寸为10-50nm。

2.根据权利要求1所述的一种Cu-Se-S体系热电材料,其特征在于:所述Cu2S相呈不规则的片状。

3.根据权利要求1所述的一种Cu-Se-S体系热电材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

(1)向乙二胺溶剂中加入Cu:Se:S摩尔比为2:(1-x):x的CuO粉、Se粉和S粉,形成混合溶液,向混合溶液中加入还原剂与碱性剂,使混合溶液的PH值为12~14,在100~200℃温度下进行水热反应,水热反应的时间为6~12h,得到单相的Cu-Se-S合金粉体;

(2)将步骤(1)中的Cu-Se-S合金粉体分离和干燥后得到干燥的Cu-Se-S合金粉体;

(3)将步骤(2)中得到的Cu-Se-S合金粉体采用放电等离子工艺进行烧结,烧结的温度为450~500℃,烧结时间为10~30min,烧结时压力为10-40MPa,得到由Cu2Se相和Cu2S相组成的Cu-Se-S多晶材料。

4.根据权利要求3所述的一种Cu-Se-S体系热电材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中分离采用离心机对Cu-Se-S合金粉体进行分离,分离时间为4-5min,转速为1800-2000转/分钟。

5.根据权利要求4所述的一种Cu-Se-S体系热电材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中的干燥在真空条件下进行,干燥温度为50-60℃,干燥时间6-12h。

6.根据权利要求3所述的一种Cu-Se-S体系热电材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)加入的还原剂为水合肼,碱性剂为NaOH。

7.根据权利要求3所述的一种Cu-Se-S体系热电材料的制备方法,其特征在于:所述硫粉、硒粉和氧化铜粉的纯度均不小于99.9%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811647686.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top