[发明专利]一种量子点发光二极管

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，其特征在于，所述阴极和量子点发光层之间设置有功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于2的整数，且所述n层功能结构单元中的相邻两层功能结构单元中，靠近阴极的电子阻挡材料层材料的LUMO能级大于靠近量子点发光层的电子阻挡材料层材料的LUMO能级。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二级管，其特征在于，所述电子阻挡材料层的材料选自PVK、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、TFB和DNA中的一种或多种；

或所述电子阻挡材料层的材料选自化合物掺杂的PVK、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、TFB和DNA中的一种或多种，所述化合物选自Li-TFSI、NiO、CuSCN、MoO₃、CuO、V₂O₅或CuS中的一种。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二级管，其特征在于，所述电子阻挡材料层的LUMO能级为-2.0～-5.0eV。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，2≤n≤10。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，相邻电子阻挡材料层的LUMO能级差为-0.1～-0.5eV。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述每层电子阻挡材料层的厚度为2-5nm；和/或所述每层电子传输层的厚度为10-120nm。

7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层材料选自ZnO、TiO₂、Alq₃、SnO、ZrO、AlZnO、InZnO、GaZnO、MgZnO、ZnSnO、BCP、TAZ、PBD、TPBI、Bphen和CsCO₃中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点层材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的一种或多种。

9.一种子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上形成功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于2的整数，且所述n层功能结构单元中的相邻两层功能结构单元中，靠近阴极的电子阻挡材料层材料的LUMO能级大于靠近量子点发光层的电子阻挡材料层材料的LUMO能级。